LED半导体发光显示器件.ppt

第2章 半导体发光显示器件（LED） 发光二级管（LED）显示 半导体LED的发光原理 LED的特性与发光效率 LED制造中的主要工艺技术 LED的工艺流程 LED的应用及行业分析 §1 概述 （1）什么是LED？ 发光二级管是一种电光转化器件，具有p-n结结构。在p-n结加正向电压，产生少子注入，少子在传输过程中不断扩散，不断复合而发光。 （2）LED的发光特点： LED的发光颜色，与白炽灯等发出的白色光等不同，而是近于单色光，换句话说，其发光的光谱是很窄的。 通过选择半导体材料，目前生产的发光二极管可以发射红外、红、橙、黄、绿、蓝等范围相当宽的各种各样的颜色。 电压：LED使用低压电源，供电电压在6-24V之间，根据产品不同而异，所以它是一个比使用高压电源更安全的电源，特别适用于公共场所。 效能：消耗能量较同光效的白炽灯减少80% 适用性：很小，每个单元LED小片是3-5mm的正方形，所以可以制备成各种形状的器件，并且适合于易变的环境 稳定性：10万小时，光衰为初始的50% 响应时间：其白炽灯的响应时间为毫秒级，LED灯的响应时间为纳秒级 . LED的伏安特性 （一）辐射复合按电子跃迁的方式可把辐射复合分为直接复合、间接复合。 直接复合：电子在导带与价带间直接跃迁而引起非平衡载流子的复合过程，也称为带间复合。 为了制取发光效率高的LED，在电子与空穴发生复合放出能量时，除了要考虑复合前后的能量之外，还应保持动量守恒。 三种发光机制 （二）非辐射复合 俄歇复合：电子-空穴对复合时，使另一载流子获得能量而跃迁到更高的能量状态。多发生在载流子浓度很高的情况下。 非发光中心复合：发出的光不在测量范围内。 多声子跃迁过程：电子-空穴对复合时，多余的能量以多个声子能量放出（变成热量） 电流注入与发光 实际LED的基本结构要有一个P-N结。当在P-N结上施加顺向电压，即P型接正，N型接负的电压，会使能垒降低，从而使穿越能垒的电子向P型区扩散，使穿越能垒的空穴向N型区扩散的量增加。通常称此为少数载流子注入，注入的少数载流子与多数载流子发生复合从而放出光。随电压增加，达到一定值，电流急剧增加，光发射开始。电流开始增加时对应的电压相应于P-N结势垒的高度，称该电压为起始电压，起始电压随LED材料及元件的结构不同而不同，GaAs为1.0～1.2V，GaAIAs为1.5～1.7V，GaP为1.8V，SiC为2.5V等等。 LED的发光效率与其能量收支相关，其数值可表示为载流子向P-N结的注入效率、载流子变为光的变换效率、产生的光到达晶体外部的光取出效率三者的乘积。 发光效率、光输出及亮度 注入LED的载流子变换为光子的比率称为内部量子效率；而射出晶体之外的光子与注入载流子之比称为外部量子效率。由于在P-N结附近发生的光会受到晶体内部的吸收以及反射而减少，一般说来，外部量子效率要低于内部量子效率。市售 LED产品的外部量子效率，红色的大约为 15％，从黄色到绿色的则在 0.3％～l％范围内，蓝色的大约为3％。 外延技术 （1）液相外延（liquid phase epitaxy，LPE）法从原理上说是溶液冷却法，即利用溶解度相对于温度的变化，通过饱和溶液的冷却，使过饱和的溶质部分在基板表面析出的方法。 在LPE法中，利用源的烘烤，可以获得高纯度的优良单晶，而且生长速率大，现已用于GaP，GaAs，InP系的LED的批量化生产。红、绿色LED用的GaP，红色LED用的GaAIAs，红外LED用的GaAs，长波长LED用的InGaAsP都是通过LPE法制作的。 （2）气相外延（vapor Phase epitaxy，VPE）法，如图 所示，是使III族金属源气体与V族卤化物或氢化物通过开管式反应而进行的气相生长法，适合批量生产，目前红、橙、黄色LED用的GaAsP就是用这种方法制作的。 （3）分子束外延（molecular beam epitaxy，MBE）法，如图 7－12所示，是使 PBN小孔坩埚中的固体加热气化，得到的分子束射向加热到一定温度的基板单晶上进行单晶生长的方法。其特点是组成、膜厚的可控制性及均匀性都很好。 （4） 有机金属化学气相沉积（metal－organic chemical vapor deposition，MOCVD）法，对于Ill-V族化合物来说，是以Ill族金属的烷基金属化合物为原料，V族元素以氢化物为原料的气相生长法；以H2为载带气体，在常压或减压的气氛中，在加热到一定温度的基板单晶上，在保持V族元素过剩的条件下，使气相原料之间发生反应的单晶生长法。其装置示意见图 7-13。其特点与MB