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P沟道增强型MOS管 P沟道增强型MOS管的漏极特性 用P沟道增强型MOS管接成的开关电路 N沟道耗尽型MOS管 3.2 最简单的与、或、非门电路 3.2.1 二极管与门 3.2.2 二极管或门 3.2.3 三极管非门（反相器） 3.2.1 二极管与门 3.2.2 二极管或门 3.2.3 三极管非门（反相器） 3.3 TTL集成逻辑门 推拉式输出级并联的情况 在普通门电路的基础上附加控制电路。EN为控制端（使能端） 三态输出门应用 74H系列与非门(74H 00)的电路结构 74S系列与非门 (74S 00)的电路结构 74S系列反相器的电压传输特性 74LS系列与非门 (74LS 00)的电路结构 3.3.5 其它类型的双极型数字集成电路 发射极耦合逻辑（ECL）门 I2L逻辑门 ECL或 / 或非门的电路及逻辑符号 ECL或 / 或非门的电压传输特性 I2L电路的基本逻辑单元 （a）结构和电路图 （b）简化的电路图 I2L或 / 或非门电路 带缓冲级的CMOS与非门电路 带缓冲级的CMOS或非门电路 *3.6 TTL电路与CMOS电路的接口 图3.6.1 驱动门与负载门的连接 图3.6.2 用接入上拉电阻提高TTL电路输出的高电平 图3.6.3 用带电平偏移的门电路实现电平变换 图3.6.4 将CMOS门电路并联以提高带负载能力 图3.6.5 通过CMOS驱动器驱动TTL电路 图3.6.6 通过电流放大器驱动TTL电路 图3.6.1 驱动门与负载门的连接 图3.6.2 用接入上拉电阻提高TTL电路输出的高电平 图3.6.3 用带电平偏移的门电路实现电平变换 图3.6.4 将CMOS门电路并联以提高带负载能力 图3.6.6 通过电流放大器驱动TTL电路 CMOS双向模拟开关：用于传输模拟信号 传输门的另一个重要用途是作模拟开关，用来传输连续变化的模拟电压信号。模拟开关的基本电路是由CMOS传输门和一个CMOS反相器组成的，也是双向器件。 C、C 为互补控制信号 由一对参数对称一致的增强型 NMOS 管和 PMOS 管并联构成。 PMOS C uI/uO VDD CMOS传输门电路结构 uO/uI VP C NMOS VN 3.5.3 CMOS 传输门 工作原理 MOS 管的漏极和源极结构对称，可互换使用，因此 CMOS 传输门的输出端和输入端也可互换。 uO uI uI uO 当 C = 0V，uI = 0 ~ VDD 时，VN、VP 均截止，输出与输入间呈现高电阻，相当于开关断开。 uI 不能传输到输出端，称传输门关闭。 C C 当 C = VDD，uI = 0 ~ VDD 时，VN、VP 至少有一管导通，输出与输入间呈现低电阻，相当于开关闭合。 uO = uI，称传输门开通。 C = 1，C = 0 时，传输门开通，uO = uI； C = 0，C = 1 时，传输门关闭，信号不能传输。 PMOS C uI/uO VDD CMOS传输门电路结构 uO/uI VP C NMOS VN 传输门是一个理想的双向开关， 可传输模拟信号，也可传输数字信号。 TG uI/uO uO/uI C C 传输门逻辑符号 TG 即 Transmission Gate 的缩写 用CMOS传输门和反相器可以构成各种复杂逻辑电路。 3.5.4 CMOS逻辑门电路 1. CMOS与非门 T1、T3为PMOS管，并联； T2、T4为NMOS管，串联。 输入端增加，输出低电平（各串联NMOS管导通压降之和）升高，VOL的升高使低电平噪声容限降低。克服的办法是输入、输出端加反相器（缓冲器）。 2. CMOS或非门 T1、T3为PMOS管，串联； T2、T4为NMOS管，并联。 输入端增加，输出高电平降低。克服的办法是输入、输出端加反相器（缓冲器）。 3. 漏极开路输出门电路（OD门） 构成与门 构成输出端开路非门 需外接上拉电阻 RD Y = AB 常用于输出缓冲/驱动器中或用于输出电平的变换 4. 三态输出 CMOS门电路 在普通门电路上，增加控制端和控制电路构成三态门。 结构一：在反相器基础上增加一对P沟道TP’和N沟道TN’MOS管。 当控制端EN=1时， TP’和TN’同时截止，输出呈高阻态；当控制端EN=0时， TP’和TN’同时导通，反相器正常工作。这是EN低电平有效的三态输出门。 A EN VDD Y VP2 VP1 VN1 VN2 低电平使能的 CMOS 三态输出门 工作原理 0 0 1 导通 导通 Y=A 1 1 0 截止 截止 Z EN = 1 ，VP2、VN2 截