LED主要特性.ppt

* ? LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结 型器件: 一. 电学特性： a. I-V特性、 b. C-V特性 二. 光学特性： a. 光谱响应特性、 b. 发光光强指向特性、 c. 时间特性。 三. 熱學特性: 发光二极管主要参数与特性 發光二極體(Light Emitting Diode, LED)是一種具有兩個電極端子，在端子間施加電壓，通入極小的電流，即可發出光亮的光電元件 . （3）反向死区 ：V＜0时pn结加反偏压 V= - VR 时，反向漏电流IR（V= -5V）时，GaP为0V，GaN为10uA。 （4）反向击穿区 V＜- VR ，VR 称为反向击穿电压；VR 电压对应IR为反向漏电流。当反向偏压一直增加使V＜- VR时，则出现IR突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同，各种LED的反向击穿电压VR也不同。 1.1 I-V特性 : 表征LED芯片pn结制备性能主要参数。 LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接 触电阻，反之为高接触电阻。 一 . LED电学特性 (1) 正向死区：（图oa或oa′段）a点对于V0 为开启电压，当V＜Va，外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaAs为1V，红色GaAsP为1.2V，GaP为1.8V，GaN为2.5V。 （2）正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系 IF = IS (e qVF/KT –1) IS 为反向饱和电流 。 V＞0时，V＞VF的正向工作区IF 随VF指数上升 IF = IS e qVF/KT ? ? ? ? ? ? 1.2 C-V特性 C-V特性呈二次函数关系（如图2）。由1MHZ交流信号用C-V特性测试仪测得。 鉴于LED的芯片有: 9×9mil (250×250um)， 10×10mil， 11×11mil (280×280um)， 12×12mil (300×300um)，故pn结面积大小不一，使其结电容（零偏压）C≈n+pf左右。 当流过LED的电流为IF、管压降为UF则功率消耗为P=UF×IFLED工作时，外加偏压、偏流一定促使载流子复合发出光，还有一部分变为热，使结温升高。若结温为Tj、外部环境温度为Ta，则当Tj＞Ta时，内部热量借助管座向外传热，散逸热量（功率），可表示为P = KT（Tj – Ta）。 1.3 最大允许功耗PF m 响应时间表征某一显示器跟踪外部信息变化的快慢。现有几种显示LCD（液晶显示）约10-3~10-5S，CRT、PDP、LED都达到10-6~10-7S（us级）。 1.4 响应时间 ① 响应时间从使用角度来看，就是LED点亮与熄灭所延迟的时间，即图中tr 、tf 。图中t0值很小，可忽略。 ② 响应时间主要取决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻抗。 LED的点亮时间——上升时间tr是指接通电源使发光亮度达到正常的10%开始，一直到发光亮度达到正常值的90%所经历的时间。 LED 熄灭时间——下降时间tf是指正常发光减弱至原来的10%所经历的时间。 不同材料制得的LED响应时间各不相同；如GaAs、GaAsP、GaAlAs其响应时间＜10-9S，GaP为10-7 S。因此它们可用在10~100MHZ高频系统。 二. LED 光学特性 发光二极管有红外（非可见）与可见光两个系列，前者可用辐射度，后者可用光度学来量度其光学特性。 发光强度（法向光强）是表征发光器件发光强弱的重要性能。LED大量应用要求是圆柱、圆球封装，由于凸透镜的作用，故都具有很强指向性：位于法向方向光强最大，其与水平面交角为90°。当偏离正法向不同θ角度，光强也随之变化。发光强度随着不同封装形状而强度依赖角方向。 发光强度的角分布Iθ是描述LED发光在空间各个方向上光强分布。它主要取决于封装的工艺（包括支架、模粒头、环氧树脂中添加散射剂与否） ① LED管芯位置离模粒头远些； ② 使用圆锥状（子弹头）的模粒头； ③ 封装的环氧树脂中勿加散射剂。 采取上述措施可使LED 2θ1/2 = 6°左右，大大提高了指向性。 当前几种常