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2017-06-18 发布于北京
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第一章 m29w160e_ct中文.pdf

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M29W160ET M29W160EB 16Mbit (2Mb x8 或 1Mb x16, 驱动块 ) 3V 电源的闪存数据摘要特性概要 ■ 电源电压图 1. 封装一编程、擦除和读时的 VCC=2.7V~3.6V ■ 读取时间：70,90ns ■ 编程时间一 10 µs 每字节 / 字典型值 ■ 35 个存储器块一 1 个驱动块 ( 顶部或底部位置 ) 一 2 个参数块和 32 个主块 ■ 编程 / 擦除控制器一嵌入式字节 / 字编程算法 ■ 擦除挂起和恢复方式一在擦除挂起期间可以读写另一块 ■ 解除旁路编程命令一快速生产 / 批编程 ■ 暂时块解保护方式 ■ 通用闪存接口一 64 位安全代码 ■ 低功耗一待命 / 自动待命 ■ 每块 100，000 次编程 / 擦除周期 ■ 电子签名一制造商代码 : 0020h 一顶部驱动器件代码 : M29W160ET : 22C4h 一底部驱动器件代码 : M29W160EB : 2249h 2004 年 9 月第 1 页 / 共 11 页如果需要关于此器件的进一步信息 , 请联系您最近的 ST 销售处 . M29W160ET, M29W160EB 概要说明 M29W160E 是一个 16Mbit(2Mb x8 或 1Mb x16) 既存储器中的块是不均匀地排列，详见图 5 和 6，块能读、擦除又能重复编程的非易失性存储器。这些地址。第一或最后的 64K 字节已被分成 4 个附加操作可以在一个单独的低电源电压 (2.7 到 3.6V) 上块。16K 字节的驱动块用来存储小的初始代码用以执行。上电时存储器默认成它的读方式 , 即作为一启动微型处理器，2 个 8K 字节的参数块用来存储个 ROM 或 EPROM 一样地被读取。参数，剩余的 32K 是一个小主存储块可能用来存储应用程序。存储器被分成可独立擦除的块，因此在旧的数据擦除时，有效数据还有可能保存下来。每块均可独立片选，输出使能和写使能信号控制了存储器的总线地保护，防止因意外的编程或擦除命令而修改存储操作。它们通常不需要附加逻辑就可以简单地连接器内容。编程和擦除命令被写入存储器的命令接到大多数微处理器。口。由于片上编程 / 擦除控制器承担了更新存储器存储器具有 TSOP48(12x20mm) 和 TFBGA48 内容所要求的全部特殊操作 , 从而简化了编程或擦