电力电子复习课件.pptVIP

解:(1)波形 解:(2)波形 解:(2)波形 P98 习 题 课 (二) 三相半波整流电路，采用硅整流管，其电压为700V,通态电流为200A,器件不串不并，不考虑安全裕量,求此整流器的输出最大电压、电流、功率。 晶闸管的通断条件：导通条件，晶闸管的阳极、门极都承受正向电压；关断条件，晶闸管的阳极承受反向电压或流过其阳极电流为零。 1.2 晶闸管的结构与工作原理 1.3 晶闸管的基本特性 门极伏安特性 IGT — 门极触发电流 UGT — 门极触发电压 注： 1 IG＞IGT，UG＞UGT（设计触发脉冲） 2 门极加负偏1～3V，提高抗干扰能力 3 增大脉冲幅值及前沿陡度，缩短开通时间。 电力电子技术课程总结 （本总结为各章小结的集合 ） 第1章 晶闸管 通态平均电流 IT(AV) ⊕定义——在环境温度为40?C和规定的冷却条件下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 1.4 晶闸管的主要参数 通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。 选用时，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3倍。 1）电压定额 2）电流定额 第1章 晶闸管 使用注意： 选用时，一般取通态平均电流为正常工作允许的1.5~2倍或 I 流过晶闸管的电流有效值,其波形、频率可以任意。 1.6 不可控器件—电力二极管 主要参数计算与晶闸管类同。 第1章 晶闸管 2.1.1 单相半波可控整流电路 基本概念、基本分析方法、基本原理。 2.1.2 单相桥式全控整流电路 电路结构、各种负载时的波形、波形分析方法、基本数量关系（Ud=0.9U2COSα）。 2.1.4 单相桥式半控整流电路 电路结构、各种负载时的波形、失控现象、续流二极管的作用。 第2章 整流电路 电力电子技术课程总结 第2章 整流电路 2.2.1 三相半波可控整流电路 2.2.2 三相桥式全控整流电路 电路结构、各种负载时的波形、波形分析方法、基本数量关系、参数计算、控制要求。 2.3 变压器漏感对整流电路的影响 换相重叠角——换相过程持续的时间，用电角度γ表示。 ② 电路形式 单相 全波 单相全控桥 三相 半波 三相全控桥 m脉波 整流电路 ① 第2章 整流电路 2.4 整流电路的谐波 m增加时，最低次谐波（频率增加）次数增大，且幅值迅速减小，电压纹波因数迅速下降。 2.5 整流电路的有源逆变工作状态 有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压。 晶闸管的控制角? π /2，使Ud为负值。 有源产生逆变的条件有： 电路结构、各种负载时的波形、波形分析方法、基本数量关系、参数计算、控制要求。 第2章 整流电路 2.5 整流电路的有源逆变工作状态 2.5.2三相桥整流电路的有源逆变工作状态 有源逆变状态时各电量的计算： 输出直流电流的平均值亦可用整流的公式，即 （2-105） 每个晶闸管导通2p /3，故流过晶闸管的电流有效值为： （2-106） 2.5.2三相桥整流电路的有源逆变工作状态 有源逆变状态时各电量的计算： 从交流电源送到直流侧负载的有功功率为： （2-107） 当逆变工作时，由于EM为负值，故Pd一般为负值，表示功率由直流电源输送到交流电源。 （2-108） 在三相桥式电路中，变压器二次侧线电流的有效值为： 2.5.3 逆变失败与最小逆变角的限制 第2章 整流电路 逆变失败的原因 逆变电路的附加保护环节——保证控制脉冲不进入 区域内。 2.6 相控电路的驱动控制 三个基本环节：脉冲的形成与放大、锯齿波的形成和脉冲移相、同步环节。此外，还有强触发和双窄脉冲形成环节。 IGBT为主体，第四代产品，制造水平2.5kV / 1.8kA，兆瓦以下首选。仍在不断发展，与IGCT等新器件激烈竞争，试图在兆瓦以上取代GTO。 GTO：兆瓦以上首选，制造水平6kV / 6kA。 光控晶闸管：功率更大场合，8kV / 3.5kA，装置最高达300MVA，容量最大。 电力MOSFET：长足进步，中小功率领域特别是低压，地位牢固。 功率模块和功率集成电路是现在电力电子发展的一个共同趋势。 当前的格局: 重点:IGBT 第3章 全控型器件 降压斩波电路、原理。 升压斩波电路、原理。 电压升高的原因：电感L储能使电压泵升的作用 电容C可将输出电压保持住 计算： 首先由