超结硅锗碳异质结双极晶体管机理研究与特性分析优化.pdfVIP

物 理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．4(2014) 048501 超结硅锗碳异质结双极晶体管机理研究 与特性分析优化术 刘静十 郭飞 高勇 (西安理工大学电子工程系，西安 710048) (2013年9月24日收到；2013年10月31日收到修改稿) 提出一种超结硅锗碳异质结双极晶体管 (SiGeCHBT)新结构．详细分析了新结构中SiGeC基区和超结 结构的引入对器件性能的影响，并对其电流输运机制进行研究．基于SiGeC／Si异质结技术，新结构器件的高 频特性优 良：同时超结结构的存在，在集电区内部水平方向和垂直方向都建立了电场，二维方向上的电场分布 相互作用大大提高了新结构器件的耐压能力．结果表明：超结SiGeCHBT与普通结构SiGeCHBT相 比，击 穿电压提高了48．8％；更重要的是SiGeCHBT器件中超结结构的引入 不会改变器件高电流增益、高频率特 性的优点：新结构器件与相 同结构参数的Si双极晶体管相比，电流增益提高了10．7倍，截止频率和最高震荡 频率也得到了大幅度改善，很好地实现了高电流增益、高频率特性和高击穿电压三者之间的折中．对超结区域 的柱区层数和宽度进行优化设计，随着柱区层数的增多，击穿电压显著增大，电流增益有所提高，截止频率和 最高震荡频率减低，但幅度很小．综合考虑认为超结区域采用pnpn四层结构是合理的． 关键词：硅锗碳，超结，异质结双极晶体管 PACS：85．30．Pq，85．30．De，73．40．Lq DOI：10．7498／aps．63．048501 性 1【2．151．但这带来的另一问题是器件击穿电压的 1 引 言 降低 通常截止频率为200GHz的SiGeHBT 其 击穿电压 E0小于2V．在高频、微波应用 中晶体 基于异质结能带工程，近年来SiGe，SiGeC异 管的击穿电压较低，意味着器件必须在高输出功率 质结双极晶体管 fHBT)高速发展，在射频、微波领 和高信噪比之间进行取舍，这使得人们不得不放弃 域其性能可与III—V族双极晶体管 (BJT)媲美．先 低成本的SiGeHBT而去选择昂贵的III—V族器件． 进的SiGeHBT其截止频率和最高震荡频率分别高 虽然通过对基区掺杂浓度、厚度以及Ge，C含量和 达fT=300GHz，fM =350GHz[卜J_设计优 良 分布进行优化，在一定程度上可 以缓解这一问题， 的SiGeCHBT其截止频率超过500GHz，正在向 但不能从根本上解决上述参数之间的矛盾．对于一 太赫兹发展 [6-o]．然而，目前商用的SiGe，SiGeC 个截止频率，T和击穿电压 Eo分别为120GHz HBT的截止频率大多处于中等水平 f200GHz以 和1．8V的SiGeHBT，通过优化器件结构和掺杂 内)，这主要是因为双极晶体管的频率和击穿电压 浓度剖面得到 fT=100GHz，VBczo=1．9V的器 之间存在不可调和的矛盾 [1o,11]．虽然，SiGeHBT 件 [16]，仅仅通过器件优化提高HBT的击穿电压收 基于异质结能带工程所带来的设计 自由度对发射 效甚微，同时却会大幅牺牲器件的频率特性． 区物理限制更小，使基区设计的基本思想简化为 高性能的功率二极管和功率金属氧化物半导 减小基区电阻和基区渡越时间，以提高其频率特 体 (MOS)类结构器件中，通过引入超结结构解决 国家自然科学基金 (批准号、高等学校博士学科点专项科研基金 (批准号 201061181200031和陕西省教育厅科学研究 计划 (批准号：