第六章半导体表面及同质、异质接触试卷.pptVIP

2015-9-28 By Dr. Jun Zhu Time limited, but searching in whole life! Wish you success! With no barrier between us, keep contact and exchange our experiences and knowledge! 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 恢复平带的方法： 半导体 绝缘层 金属 do 在金属一边加上负电压， 并且逐渐增大，使得半 导体表面层的负电荷随之 减小，直至完全消失。这 时在半导体表面层内，在 氧化物中存在的薄的正电 荷产生的电场完全被金属 表面增加的负电荷的电场 屏蔽了，半导体表面的能 带又平了，即恢复到 平带状态。 加偏压VG0 使能带恢复平直的栅电压 平带电压VFB2 E为金属与薄层电荷之间的电场 由高斯定律可知，金属与薄层电荷间的电位移电荷密度等于 显然，当薄层电荷贴近半导体时平 带电压最大。而位于金属和绝缘体 界面处对C-V特征没有影响。 （2）一般情况：正电荷在SiO2中有一定的体分布ρ(x) 在x与(x+dx)间的薄层内，单位面积上的电荷为ρ(x)dx 对平带电压的 影响为： 注：如果存在可移动的离子，使得电荷分布发生 变化，VFB 跟着变化，导致C-V曲线的平移。 （3） C～V曲线为： Note:实际MIS结构的出现强反型时的开启电压要加上平带电压的影响： 必须考虑 三. Si-SiO2 系 统 的 性 质 硅和二氧化硅系统中，存在多种形式的电 荷或能量状态，一般归纳为四种基本类型： 平面工艺制造的硅器件表面有一层二氧化硅薄 膜，保护硅表面，提高稳定性，兼当栅介质等 Na Na Na Na Na 绝缘体 半导体 金属 界面态 固定表面电荷 Na 可动离子 电离陷阱 硅 – 二氧化硅系统中的电荷状态 1、可动离子（主要是Na离子） 有钠、钾和氢等，其中最主要而对器件稳定性 影响最大的是钠离子。来源于化学试剂、玻璃 仪器等，易于在SiO2中移动。 来源： 特点：半径较小，带正电，具有热激活的特点。 SiO2是近程有序的网络结构，基本单元是硅氧 四面体，Si在中心，而O在四个角顶。Na离子 可存在于四面体之间，使得网络变型。并且易 和氧结合，形成金属氧化物键，使得SiO2网络 结构呈现多孔结构，导致杂质原子的扩散和迁 移变得容易。Na的扩散系数远大于硼和磷，迁 移率也很大。D:5.0cm2/s。 所以，在一定的温度和偏压下，对器件的影响 最大!100℃以上，在电场下可以以较大的迁移率发生漂移运动。 温度－偏压（B-T)实验: 通过B-T实验可以可移动电荷的密度。 开始时，钠离子聚积在铝和二氧化硅间，对C-V没有 影响，曲线靠近纵坐标；把样品加正向的10V的偏压并且在127℃ 退火，使得钠离子移动到半导体表面处，对C-V特性影响最大，产生平移，测定平带电压之差△VFB 。如再加负的偏压时，曲线又向正方向移动但不能回到原来的位置，这是由于再SiO2中保留了残余的纳离子。 ∴ C0 为氧化层的电容，所以单位面积的钠离子数是： 2、固定电荷 （1）这种电荷的面密度是固定的,不能充放电。 （2）它位于硅 – 二氧化硅界面的20nm范围以内。 （3）电荷值不明显地受氧化层厚度或硅中杂质类型 及浓度的影响。 （4）电荷与氧化和退火条件，以及硅晶体的取向有 很显著的关系。 在Si-SiO2系统中，除了移动电荷外，还发现大 量的正电荷。并且具有一些特征： 一般认为，是硅和二氧化硅界面附近存在过剩 的硅离子是固定表面正电荷产生的原因。 带正电的固定表面电荷，使得MOS的C-V曲线发 生变化，引起半导体表面层中的能带向下弯曲。 所以，要恢复平带状态，必须在金属和半导体之 间加上一个负向电压，即平带电压沿电压轴向负 方向移动一个距离。平带电压为： 考虑金半之间功函数的差别： d0＞20nm (fixed charge) 把 代入上式可得： 从理想C-V曲线中得到CFB/C0，在从实验测得的MOS结构的C-V特性曲线上找到VFB ，利用 上式可求出固定表面电荷密度。 在实验中必须先经过B-T实验去除移动电荷的影响 3、界面态 Dit 存在于Si-SiO2界面离Si表面3-5埃的厚度内。 分为施主界面态和受主界面态。 一般指的是Si-SiO2界面处而