对角线算法检测MLC Nand Flash的干扰故障.pdfVIP

用对角线算法检测 MLC NAND Flash 的干扰故障 郑基锋 上海交通大学微电子学院，上海（200240） E-mail：Jif_zheng@ 摘 要：随着半导体工艺的迅速推进，尤其在存储芯片领域，工艺节点的逐年缩小，存储芯 片的故障变得更加复杂。存储单元间距逐步缩小，导致干扰故障的发生几率急剧上升。产生 干扰故障的根本原因是隐藏在存储单元的绝缘层内的各种缺陷。干扰故障的具体表现，可分 为Gate Stress Erasure ，Gate StressProgram 和Drain Stress Erasure 。本文将分别介绍这三种故 障类型的具体表现，并采用对角线算法，测试这三种故障类型。 关键词：MLC NAND Flash Memory, 干扰故障，对角线算法 中图分类号：TP306+.2 1、引言 随着信息化时代的到来，我们身边的信息量正呈现着爆炸性的增长。越来越多的信息需 要计算，需要存储。而正是这些信息的存储需求，引发了半导体存储芯片的蓬勃发展。如固 态硬盘(SSD, Solid State Disks)，存储卡(Memory Ca