ZnO纳米结构制备及其器件研究摘要.PDFVIP

第4卷 第3期 2009 年 3 月 中国科技论文在线 Sciencepaper Online 157 ZnO 纳米结构制备及其器件研究 冯 怡，袁忠勇 （南开大学新催化材料科学研究所，天津 300017 ） 摘 要：综述了氧化锌纳米材料制备技术和器件应用的研究进展，着重介绍了氧化锌的气相和液相合成方法， 并讨论了一些重要的生长条件控制因素，同时总结了纳米氧化锌作为一种新型功能材料在场效应晶体管、肖特 基二极管、紫外光探测器、气敏传感器、纳米发电机等领域的应用及发展前景。 关键词：氧化锌；纳米结构；纳米器件 中图分类号：O175.29 文献标识码：A 文章编号：1673－7180(2009)03 －0157 －13 Zinc Oxide nanostructures: fabrications and applications FENG Yi ，YUAN Zhongyong (Institute of New Catalytic Materials Science, Nankai Unviersity, Tianjin 300071 ，China) Abstract: This paper reviews the current studies of ZnO nanostructures, fabrication, and novel device applications. It generalizes multiple ZnO nanostructures that have been synthesized in strategies of liquid phase and vapor phase, as well as some important reaction parameters which could control ZnO growth are also emphatically introduced. Due to the unique material, Zinc Oxide also exhibits a range of remarkable potential applications in fuctional devices such as Field-Effect-Transistor, Schottky diode, UV-optical detector, Gas sensor and Nanogenerator, which have profound impacts in future development. Key words: ZnO ；nanostructure ；nanodevice 纳米数量级时，与普通ZnO 相比，纳米ZnO 展现出许 0 引 言 多优异和特殊的性能，如压电性能、近紫外发射、透明 ZnO 是一种重要的 II-IV 族直接带隙宽禁带半导 导电性、生物安全性和适应性等，使得其在压电材料、 体材料。室温下能带带隙为 3.37 eV ，激子束缚能高达 紫外光探测器、场效应管、表面声波、太阳能电池、气 60 meV(GaN : 25 meV, ZnSe : 22 meV),能有效工作于室 体传感器、生物传感器等领域拥有广阔的应用前景[2]。 温(26 meV)及更高温度，且光增益系数(300 cm-1)高于 由于氧化锌独特的结构特点决定了 ZnO 在众多氧 GaN(100 cm-1 [1] 化物半导体中是一种形态极为丰富的材料。目前，各种 ) ，这使ZnO 迅速成为继 GaN 后短波半 导体激光器件材料研究新的