硅微条探测器的发展和应用.doc

硅微条探测器的发展和应用 摘要: 硅微条探测器的位置分辨率可好于R= 1. 4um, 这是任何气体探测器和闪烁探测器很难做到的。主要介绍硅微条探测器的特点、结构、工作原理及其在近年来的发展和在高能物理、核医学等领域应用概况。 关键词：硅微条探测器，离子探测 0 引言 随着高能物理事业不断的发展, 各种探测器技术都在不断地发展。气体探测器从早期的多丝正比室(MWPC)、漂移室(DC) , 到目前研制出了新的微条气体正比室(MSGC)、微间隙气体探测器(MGC)、微网结构的气体探测器(Micro mesh gaseous structure chamber)、气体电子倍增器(GEM) 等等。与此同时, 半导体探测器也有很大的发展, 而且已经广泛应用到高能物理、天体物理、核医学等各方面。其中, 硅微条探测器SMD ( Silicon Micro Strip Detector) 的发展和应用是非常突出的一个。近十几年来, 世界各大高能物理实验室几乎都采用它作为顶点探测器, 西欧中心正研制的LHC对撞机上的ATLAS 和CMS实验中将采用它作为探测粒子径迹的径迹室(tracker)。在核医学领域的CT 和其它数字化图像方面的应用研究, 也有了很多新的进展。这主要是因为硅微条探测器及一些相关的半导体探测器具备以下优点: 1) 非常好的位置分辨率 这是硅微条探测器最突出的特点。它的位置分辨率是目前应用的各种探测器中最高的,目前可做到R= 1. 4μm。主要因为固体的密度比气体大100 倍左右, 带电粒子穿过探测器, 产生的电子-空穴对(e-h) 的密度非常高, 大约为110e-h/um。另外由于现代半导体技术工艺, 光刻技术及高集成度低噪声读出电子学的飞速发展, 每个读出条可对应一路读出电子学, 更有利于空间分辨率的提高。 2) 很高的能量分辨率 半导体探测器的能量分辨率比气体探测器大约高一个数量级, 比闪烁计数器高得更多。这是因为在硅半导体中电离产生一对电子-空穴对(e-h) 只需要3eV 左右的能量, 而气体中产生一对离子对所需能量大约为30eV , 塑料闪烁探测器在光阴极上产生一个光电子需要的能量大约为300eV。带电粒子在硅半导体中的能量损失也很高, 在硅晶体中, 能量损失大约为390eV/μm。因此, 同样能量的带电粒子在半导体中产生的电子-空穴对数要比气体中产生的离子对高一个数量级以上。这样电荷数的相对统计涨落也比气体小很多, 所以它的能量分辨率很高。 3) 很宽的线性范围 由于在一定能量范围内, 半导体的平均电离能与入射粒子的基本能量无关, 故半导体探测器具有很好的线性, 很宽的线性范围。 4) 非常快的响应时间 在半导体探测器中, 由于半导体的密度大,电子和空穴的迁移率很高, 分别为: μe =1450cm^2/V·s和μh= 450cm^2/V·s。另外由于采用微电子工艺的半导体探测器很薄, 它的电荷在很小的区域里收集, 响应时间非常快, 一般可达到5n s 左右。因此, 可以实现高计数率, 可超过10^8/ cm^2·s。 5) 体积可做得很小 由于硅半导体密度大, 有一定的刚度, 它可以做得很薄并能自身支持, 典型的厚度是300Lm 左右, 当带电粒子穿过时, 大约可产生3. 2×104 电子-空穴对。有的还可做得更薄, 整个探测器可以作得很小。 硅微条探测器的缺点是: 对辐射损伤比较灵敏, 如果受到强辐射其性能将变差。但各国科学家就此问题从技术上正在进行不断地改进提高。 正因为硅微条等探测器具有如此多的优点, 近十几年它在世界各高能物理实验中得到广泛的应用, 在天体物理、宇宙线科学、核医学等领域的应用也有了许多新的发展。 硅微条探测器的结构和工作原理 硅微条探测器结构 硅微条探测器及一些相关的半导体探测器都是以p-n 结为基础研制成的, 所以称它们为p-n 结型半导体探测器。半导体的p-n 结有不同的结构形式。但经过模拟计算和多次实验测试、比较, 目前在硅微条探测器及一些相关的半导体探测器的制作中, 还是采用p+-n-n+ 形式结构比较多。其它形式也有, 但不多。 1. 2　硅微条探测器的工作原理 硅微条探测器和一些相关的半导体探测器都是利用p-n 结的一些特征研制成的。硅微条探测器是在一个n 型硅片的表面上, 通过氧化和离子注入法, 局部扩散法, 表面位垒法及光刻等技术工艺制作成的。其表面是均匀平行的附有一层铝膜的重搀杂p + 微条。n 型硅片的整个底面掺入杂质后, 制成n 型重搀杂n+ 层, 其外层也附有一层铝, 作为欧姆接触。这样制成了表面均匀条形的p-n 结型单边读出的探测器, 中间部分的耗尽层是探测器的灵敏区, 当在这些条型p-n 结加上负偏压时, 耗尽层在外加电场的作用下, 随着电压升高而变厚。当电压足够