计算机电路基础第章.pptVIP

第 5 章 半 导 体 器 件 5.1 半导体基本知识 5.2 半 导 体 二 极 管 5.3 半 导 体 三 极 管 5.4 场 效 应 管 半导体器件是20世纪中叶发展起来的新型电子器件，是构成计算机电路等现代电子设备的基本元件。本章将分别介绍半导体二极管、三极管、场效应管的结构特点、工作原理和特性参数。 5.1 半导体基本知识 1.半导体的原子结构 导电性能介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。硅和锗都是制作二极管、三极管和集成电路的半导体材料。它们都是4价元素，即每个原子的最外层轨道上有4个价电子，每个价电子都与相邻原子的一个价电子形成共价键，为两个原子所共有，从而形成一种稳定的原子结构，如图5.1所示。 纯净的半导体晶体称为本征半导体。在室温下，本征半导体中有少数价电子挣脱共价键的束缚成为“自由电子”，并且在原来共价键处留下一个空位，这个空位称为“空穴”。空穴一出现，附近的价电子很容易被吸引过来填充，这样又形成了新的空穴。从整体上看空穴也在运动。自由电子带负电荷，空穴带正电荷。通常将可运动的带电粒子称为“载流子”，自由电子和空穴都是载流子。载流子的运动将形成电流。 2. P型半导体和N型半导体 在本征半导体中加入3价元素, 如硼、铝等,会使半导体内部的空穴数量大大增加,它的导电能力也将大大增强,而且主要是由空穴的运动形成电流,所以空穴是多数载流子。当然还有少量的自由电子参加导电，所以自由电子是少数载流子。因为空穴是带正电的，所以将这类的掺杂半导体称为正极性半导体，简称P型半导体。 在本征半导体中加入5价元素，如磷、锑等，会使半导体内部的自由电子数量大大增加，它的导电能力也将大大增强，而且主要是由自由电子的运动形成电流，所以自由电子是多数载流子。当然还有少数空穴参加导电，所以空穴是少数载流子。由于自由电子是带负电荷的，所以将这类的掺杂半导体称为负极性半导体，简称N型半导体。 3. PN结及其单向导电性 图5.2所示的就是这样的一块半导体，它的右边是N型区，左边是P型区。 如果给PN结加上正向偏压，使P区电位高于N区电位，如图5.3所示，这时外电场的方向与内电场方向相反，外电场消弱内电场。 如果给PN结加反偏电压，如图5.4所示，P区电位低于N区电位，这时外电场的方向与内电场的方向相同，外电场加强了内电场，P区的空穴和N区的电子更不可能穿过PN结，在PN结中没有电荷流动，也就是说不能形成电流。 5.2 半 导 体 二 极 管 1.二极管的结构与符号 二极管是最基本的半导体器件，从本质上说它就是一个PN结。从PN结的P区和N区各引出一根电极，再将它用玻璃、塑料或金属外壳封装起来，就构成了一只二极管。二极管的符号如图5.5所示,电流的方向只能按箭头的方向流动。 2.二极管的伏安特性 图5.6 所示为二极管的伏安特性曲线，它描述了二极管两端电压和流过二极管电流之间的关系。 从曲线中可以看出，当正向电压很小时，二极管并不能导通，如果是硅二极管，要在外电压超过0 .5V之后，才开始导通。在正向电压超过导通电压Uon=0.5V之后，电流随电压的增大快速增大。在二极管充分导通时，正向电压只在0.7V左右。 如果是锗二极管，则导通电压为0.2V左右。充分导通时正向电压只有0.3V左右。当给二极管加反向电压时，反向电流极小，但当反向电压增大到某一值时，反向电流会突然增大，有可能烧坏二极管，这一现象称为反向击穿。 3.二极管的主要参数 二极管的主要参数如下。 ① 最大正向电流IF：指允许通过的最大电流。 ② 反向击穿电压URB：指二极管被反向击穿时，对其施加的反向电压。 ③ 反向电流IR：理想二极管的反向电流为零。反向电流大的二极管单向导电性差。 ④ 最高工作频率FT：当电路的工作频率超过FT时，二极管失去单向导电性。 4.二极管应用举例 【例5.1】二极管构成门电路如图5.7所示 5.3 半 导 体 三 极 管 三极管是电子电路中重要的一种半导体器件，在模拟电路中常用于对电压信号进行放大或组成振荡器等。在数字电路中，开关三极管作为一种开关器件使用。 1.半导体三极管的结构及其符号 半导体三极管是由两个对称的PN结构成的。图5.8 所示为NPN型三极管结构示意图和符号。 2.三极管的放大原理 (1) 放大的外部条件 给三极管的发射结加上正向电压，给集电结加上反向电压，这是三极管能够实现电流放大的外部条件，如图5.9所示。 （2） 放大原理 ① 发射区向基区发