G型H.BIJ.F6薄膜的制备及特性研究-OALib.PDFVIP

! ##$ 年% 月 重庆师范大学学报（自然科学版） ’() ##$ 第* 卷 第+ 期 ,’-./( ,0 12,.345.3 6,-7/( 8.59:-;5=（6/’-/( ?5:.?: ） @,() * 6,) + ABC ：D# ) +$*$E ) C6) D*%F **$+) ##$ ) #+) ## G 型H.BI J.F6 薄膜的制备及特性研究! 阮海波，孔春阳，秦国平，南! 貌 （重庆师范大学 物理学与信息技术学院光学工程重点实验室，重庆K###K% ） 摘要：用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了较高结晶质量的H.B I J. 薄膜，继而进行6 离子注入和退火处 理，成功实现了H.B 薄膜的J.F6 两步法共掺杂和G 型转变。利用L 射线衍射（LMA ）、N/(( 测试、分光光度计、L 射 线光电子能谱（LO ）等测试手段对其性能进行了分析。结果表明：所测样品均具有单一的? 轴择优取向，薄膜在退 火后没有检测到其它杂质相的生成；薄膜在*P# Q 经 D# R +# 75. 退火时均可实现G 型转变，空穴浓度可达 D#D* R D#D% ?7 S + ，表明*P#Q 可能为H.BI J.F6 体系中6 离子达到电激活成为有效受主的温度；LO 能谱证明了J. T 、6+F 离子的掺入；在热退火作用下，部分间隙位6 离子达到电激活通过扩散进入B 空位，形成6FH. 或6FJ. 键，是样品转 变为G 型的依据；G 型H.BI J.F6 薄膜室温下的禁带宽度为+) D* :@ ，相对未掺杂H.B 的禁带宽度+) $ :@ 明显减 小。 关键词：射频测控溅射；离子注入； J.F6 共掺；退火；电激活；G 型H.B 中图分类号：U6+#K ) #PP 文献标识码：V! ! ! 文章编号：D*%F **$+（##$ ）#+F ##WF #K ! ! H.B 是目前国际上普遍关注的一种直接宽禁带 能量高达$ :@［W ］，很难被离化；这些因素导致以受主 半导体材料，室温下其禁带宽度为+) +% :@ ，激子束缚 形式掺杂的6 仅在一定程度上补偿了体系中部分的 能高达*# 7:@ ，在短波长发光器件、紫外探测器、气 施主缺陷，实验所获得的样品大多呈高阻或. 型导 敏原件、透明导电膜等领域显示了巨大的应用潜 电，真正的G 型掺杂很难实现。 ［D］ 力 。与此同时，由于H.B 通过适当掺杂过渡金属 本文针对目前H.B 研究中的热点问题，在小组 ［$ ］ ［D#FDD］ 元素有望实现室温铁磁性，有关H.B 基稀磁半导体 成功实现H.BI 6 和H.BI 6FC. 薄膜G 型转变 （AJ ）的研究也逐渐成为热点。### 年，A5:( 等 的基础上，采用射频磁控溅射在石英玻璃上制备出 ［ ］ 较高结晶质量的 人 在《?5:.?:》报道了AJ 的重要理论研究成果， H.BI J. 薄膜，结合6 离子注入和 他们采用平均场H:.:- 模型首先预测了J. 掺杂的G 退火处理实现了H.BI J.F6 薄膜的G 型转变，并对 型H.B 体系可以实现高居里温度（大于+## X ）的铁 其晶体结构、光电特性做了一定的分析讨论。 ［+ ］ 磁性。随后，X) /, 和Y,;25Z/ 等人 在基于局域密