半导体材料测试方法标准介绍.PDFVIP

综述 Survey 半导体材料测试方法标准介绍 随着IC产业和光伏产业的快速发展，以及半导体照明工程的开展，国民经济各 领域对半导体材料产业提出了新的要求。同时，作为半导体材料产业的工业语 言——标准，也备受世人关注；广大用户对半导体材料的各类测试方法的需求也 更加紧迫。 文|向 磊 着电子工业技术的快速发展， 随中国集成电路产业和光伏产 业发展很快。按国际半导体设 备及材料协会 （SEMI ）的全球生产线预 测报告 (World Fab Forecast) 指出，2010 年中国在前道生产线的投资超过20 个厂 ( 厂房与设备 )，将增长67%，总计达20 亿美元 ；到2010 年中国半导体的安装产 能将增加到每月超过 150 万片，相当于 全球硅片总产能的 10% （依8 英寸等值 计）；在半导体材料方面，2010 年中国的 消费预计达37.5 亿美元，比 2009 年上升 15%，超过欧洲，接近美国的支出。根据 SEMI 光伏委员会统计，2008 年中国光伏 电池产量达到2GW ，保持全球第一的地 位，占全球份额的 30 ％。两大产业的快 速发展也给半导体材料产业提出了新的 要求和机遇。同时，作为半导体材料产业 T 12965-2005 《 硅 单 晶 切 割 片 和 研 磨 括 GB/T 10117-2009 《 高 纯 锑 》，GB/T 的工业语言——标准，也备受世人关注。 片 》，GB/T 14139-2009 《 硅 外 延 片 》， 10118-2009 《高纯镓》，GB/T 11072-2009 以下主要结合全国半导体设备和材 GB/T ××××《太阳能级多晶硅》，GB/ 《锑化铟多晶、单晶及切割片》，GB/T ， GB/ 11093-2007 《液封直拉法砷化镓单晶及 料标准化技术委员会材料分技术委员会 T ××××《 太 阳 能 级 单 晶 硅 》 （SAC/TC203/SC2 ）组织制定的国家标准 T ××××《太阳能级单晶硅切割片》， 切割片》，GB/T 11094-2007 《水平法砷 （GB/T ）和部分行业标准（YS/T ），对半 GB/T ××××《SIMOX 晶 片 规 范 》， 化镓单晶及切割片》，GB/T 20228-2006 导体材料测试标准进行介绍。 GB/T ××××《 退 火 硅 片 规 范 》，GB/ 《砷化镓单晶》GB/T 20229-2006 《磷化 目前共有半导体材料测试方法标准 T ××××《硅单晶抛光试验片规范》； 镓单晶》，GB/T 20230-2006 《磷化铟单 77 项，基本满足了现阶段IC 产业和光伏 锗材料标准，包括 ：GB/T 5238-2009 《锗 晶》，YS/T 43-1992 《高纯砷》，YS/T 264- 产业半导体材料的生产实际需要，详见 单晶和锗单晶片》，GB/T 11069-2006 《高 1994 《 高 纯 铟 》，YS/T 290-1994 《 霍 尔 最后附表。 纯二氧化锗》，GB/T 11070-2006 《还原锗 器件和甘氏器件用砷化镓液相外研片 半导体材料产品标准主要有 ：硅材 锭》，GB/T 11071-2006 《区熔锗锭》，GB/ 层》，GJB 3076-1997 《磷化镓单晶片规 料标准，包括 ：GB/T 12962-2005 《硅单 T23522-2009 《再生锗原料》，YS/T 13- 范》，GJB 5345-2004 《砷化镓抛光片规 晶》，GB/T 12963-2009 《硅多晶》，GB/ 2007 《高纯四氯化锗》，GB/T ×××× 范》，GJB 5346-2004 《高纯碲规范》，GB/ T 12964-2003 《 硅 单 晶 抛 光 片 》，GB/ 《太阳能电池用锗单晶》；其他标准，包 T ××××《太阳能级砷化镓》。 26 综述 Survey 材料的各项质量特性参数是相互关 YS/T37-007 汞分光光度法、钼蓝分光光 处理前后间隙氧含量变化得出硅