科学基础-3晶体缺陷案例.ppt

3.3 表面及界面 3.3.1 外表面 由于另一侧无原子，配位数少于晶体内部，表面几层原子点阵畸变，能量高于晶体内部 表面能 γ －－晶体表面单位面积能量的增加，与表面张力 σ 相等 ， γ＝dW/dS（J/m2） 不同的晶面为外表面时，被破坏的结合键的数目不同→表面能各向异性 密排面的表面能低：体心立方 {110} ，面心立方 {111} 表面能最低 外表面杂质的吸附显著影响表面能 ， 杂质在外表面的物理吸附 ( 分子键 ) ，化学吸附 ( 离子键、共价键 ) 3.3.2 晶界和亚晶界 ★多晶体中，每一个晶粒就相当于一个小单晶  ★相邻晶粒的位向不同，交界面叫 晶粒界 ，简称晶界  ★晶粒内部位向差极小的亚结构，交界为 亚晶界  ★晶界的结构、性质与相邻晶粒的位向差有关。位向差小于10o， 小角度晶界 ； 10o以上， 大度角晶界  ★晶界处原子排列紊乱，能量增高=晶界能 1.小角度晶界的结构 D┻= b┻ /θsinφ, D├ = b├ /θcosφ 2. 大角度晶界的结构 晶界中原子过于密集的区域为压应力区，原子过于松散的区域为拉应力区 大角度晶界晶界能较高，在 0.5-0.6J/m2，与相邻位向无关 某些特殊位向的大角度晶界界面能很低－－重合位置点阵模型，两晶粒有 1/n 原子处在重合位置，构成 1/n 重合位置点阵 两个晶粒有 1/5 的原子是在另一晶粒点阵的延伸位置；重合位置构成重合位置点阵 晶界与重合位置点阵的密排面重合或以台阶方式与重合位置点阵的几个密排面重合时，晶界上的重合位置多，晶界的畸变下降，晶界能降低 3.3 .3孪晶界 ★孪晶－－相邻两晶粒或晶粒内部相邻部分沿同一个公共晶面 ( 孪晶界 ) ，构成镜面对称的位向关系 ★孪晶界是最简单的一种晶界 ★孪晶界与堆垛层错有密切关系 ★共格孪晶界原子没有错排，不会引起弹性应变能，界面能很低， Cu 的共格孪晶界界面能 0.025J/m2  b.两平行刃位错 同号位错 y＞0,fy ＞0,正攀移 y＜0,fy ＜0,负攀移 即沿y轴方向相互排斥 异号位错 y＞0,fy＜0,负攀移 y＜0,fy ＞0,正攀移 即沿y轴方向相互吸引，最终位错可能合并消失 3.2.5位错的生成和增殖1.位错的密度 2.位错的生成 3.位错的增殖 ★见双交滑移swf 3.2.6堆垛层错 4.扭转、割阶的大小和方向取决于另一根位错的柏氏矢量。 3.2.3 位错的弹性性质 1.位错的应力场 正应力：σxx ，σyy ， σzz 切应力：τxy =τyx ； τxz=τzx ；τyz=τzy a.螺位错应力场 ★G ：切变弹性模量。 除Z方向外，其余方向无位移，应力为零； 应力场只与半径有关，是径向对称的； ★ r → 0 ，应力无穷大－－不适用于位错中心的严重畸变区。 ★由于螺位错的正应变等于零，所以其体膨胀率等于零，即形成螺位错时体积不发生变化。 b.刃位错应力场 ★正应力分量与切应力分量同时存在，与 Z 无关，即与刃位错平行的直线各点应力状态相同 ★ y0, 滑移面以上， σ xx0 是压应力 ★ y0, 滑移面以下， σxx0 是拉应力 ★ y=0, 无正应力，切应力最大 ★任一点 |σxx | |σyy | ★以上关系不适用于刃位错中心区 2.位错的应变能 We/Ws= = 一般金属材料的υ≈1/3，所以 We/Ws≈1.5 K≈1~0.75 3.位错的线张力 为了降低能量，位错有尽可能缩短其长度的倾向，这时产生了一种称为线张力的组态力。因此，位错力求变直。线张力是一种组态的作用力，与位错线附近的个别原子所受的作用力不同。 位错线有应变能=位错线有缩短趋势以减少应变能=位错线张力 线张力等于单位长度位错的应变能  4.作用在位错上的力 攀移作用力 xx xx xx 5.位错间的交互作用力 a.两平行螺位错 4.柏氏矢量的表示方法 ★b=a/nu v w ，n为正整数； ★若b1=a/n[u1 v1 w1]， b2=a/n[u2 v2 w2] b=b1+b2=a/n[u1 v1 w1]+a/n[u2 v2 w2] = a/n[u1+u2 v1 +v2 w1 + w2] ★ ︱b︱ =a/n (u2 + v2 + w2 )1/2 3.2.3 位错的运动1.刃位错的滑移和攀移 刃位错的攀移 2.螺位错的滑移 在切应力作用下，异号位错运动方向相反，滑移效应相同。同一滑移面上的异号位错如果相遇，位错消失，刃型、螺型位错都是如此。 刃型位错线的方向与柏氏矢量方向 垂直 ，与位错线运动方向 垂直，与切应力方向垂直 。最终扫出晶体，在与位