微机电系统微米间隙的预击穿和击穿特性研究.pdfVIP

第 46卷 第 8期 西 安 交 通 大 学 学 报 Vo1．46 No．8 2012年 8月 JOURNALOFXI’ANJIAOTONG UNIVERSITY Aug．2012 微机电系统微米间隙的预击穿和击穿特性研究 孟国栋 ，成永红 ，酉小广 。，吴锴 (1．西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室，710049，西安；2．中国卫星海上测控部，214431，江苏江阴) 摘要：为了预测和评估微机 电系统(MEMS)中微电极结构的绝缘性能，采用MEMS加工工艺，制 备了电极间隙为5～4O肚m的金属铝薄膜电极，研究了试样在直流电压下的预击穿过程中电流一电 压关系曲线以及击穿电压随电极间隙的变化规律，并利用扫描电子显微镜(SEM)进行了微电极表 面的微观分析．研究结果表 明：预击穿过程的电流一电压曲线说明，在击穿之前电流的变化主要包括 自由带电粒子的定向迁移阶段、电流密度达到饱和阶段 以及碰撞电离持续发展形成电子雪崩阶段； 场致电子发射的Fowler-Nordheim 曲线表明，当微 电极的间隙大于 5／,m时，其击穿特性仍然符合 巴申曲线，与相关文献的研究结论一致；微电极击穿阈值均大于相 同间隙的宏观金属电极的击穿阈 值 ；微电极击穿后在阳极表面有坑洞产生，而在阴极表面存在溅射沉积现象． 关键词：微机 电系统；击穿特性；微米间隙；巴申曲线 中图分类号：TM855 文献标志码 ：A 文章编号：0253—987X(2012)08—0106—05 PrebreakdownandBreakdownCharacteristicsofM icrometerGapin M icro-Electro-M echanicalSystem Device MENG Guodong，CHENG Yonghong ，YOU Xiaoguang ，W U Kai (1．StateKeyLaboratoryofElectricalInsulationandPowerEquipment，Xi’anJiaotongUniversity，Xi’an710049，China 2．ChinaSatelliteMaritimeTracking＆ControllingDepartment，Jiangyin，Jiangsu214431，China) Abstract：To carefully predictand evaluate the insulation characteristics forproviding the guidelinesofinsulationdesigninmicro—electro—mechanica1system (MEMS)devices，thesamples werepreparedbyetchinginsulationgapsmeasuredfrom 5 m to40 m．Thepre-breakdown current—voltagecurveand relationshipsbetween breakdown voltagesand electrodegapswere measuredon thetestsamplesfabricated with aluminium film electrodesin standard MEMS processes．Theelectrodesurfaceafterbreakdownwasanalyzedby scanningelectronmicroscopy (SEM)．Theresultsshow thatthepre-breakdowncurrent—voltagecurvecanbedividedintothree stages：freechargedparticlesdirectionallymigratealongelectricfield；thecurrentdensitygets saturated；theimpactionizationdevelopsintoelectronavalancheconti