n）结构和光学性质的研究.PDFVIP

第３４卷第２期 重庆工商大学学报（自然科学版） ２０１７年４月 Ｖｏｌ．３４　ＮＯ．２　　　　　　　　ＪＣｈｏｎｇｑｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌＢｕｓｉｎｅｓｓＵｎｉｖ（ＮａｔＳｃｉＥｄ）　 　　　　　　　 Ａｐｒ．２０１７ － ｄｏｉ：１０．１６０５５／ｊ．ｉｓｓｎ．１６７２０５８Ｘ．２０１７．０００２．０１７ ＝ ＺｎＳｅ和ＣｕＸＳｅ（Ｘ Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）结构和光学性质的研究 ２ 董玉静，高延利 （信阳学院理工学院，河南 信阳４６４０００） ＝ 　　摘　要：利用赝势平面波基组的密度泛函理论方法，首先优化太阳能材料ＺｎＳｅ和 ＣｕＸＳｅ（Ｘ Ａｌ，Ｇａ， ２ Ｉｎ）的晶体结构，得到晶格参数、键长，并预测了ＣｕＸＳｅ带隙和光学性质，带隙按照Ａｌ Ｇａ Ｉｎ依次减小，但 → → ２ 晶格参数和形变参数依次增加；通过光学性质中介电函数、吸收系数，反射率和光电导率分析发现，吸收系 数的最强峰都在紫外区域，在３种晶体中光学性能按照Ａｌ Ｇａ Ｉｎ依次增强。 → → 关键词：密度泛函方法；半导体；带隙；光学性质 中图分类号：ＴＭ９１４．４　　　文献标志码：Ａ　　　文章编号：１６７２０５８Ｘ（２０１７）０２００８４０６ 　　在各种薄膜光伏电池材料中，铜基材料具有许 本出发，研究电子在二元半导体到三元半导体演化 多独特的优势，在光伏电池领域有着巨大应用潜 过程中的影响和作用，建立晶体结构并提供可靠的 ＝ 力，从２０世纪７０年代就开始出现了大量的理论研 计算参数。先对 ＺｎＳｅ和ＣｕＸＳｅ（Ｘ Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）的 ２ 究工作。近年来，由于光伏发电技术日趋得到重 结构优化，考察电子在晶体结构的影响，然后通过 ［１９］ 电子在能带结构和态密度的影响进行分析，对二元 视，世界范围内大量课题组 相继开始了相关 研究。 半导体和三元半导体进行对比，最后重点分析三元 在２０世纪７０、８０年代后的很长一段时间，人们 半导体的光学性质。 将注意力转向铜基材料缺陷性质和能带匹配等侧 ＝ 重实际应用的研究方向。随着理论方法的改进，近 １　ＺｎＳｅ和ＣｕＸＳｅ（Ｘ Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）半导 ２ 几年又出现大量在铜基多元半导体的基本电子结 体的晶体结构 构性质相关方面的研究报道。２００９年 ＣｈｅｎＳ等 ［１０］ 　　ＩＩＶＩ二元、ＣｕＩＩＩＶＩ三元晶体结构和电子结构 人 研究了ＩＩＶＩ二元半导体到 ＩＩＩＩＶＩ三元半导