柱型量子线中隧穿时间和逃逸问题的研究黎明陈军宫箭.PDFVIP

InAs/InP 柱型量子线中隧穿时间和逃逸问题的研究 黎明 陈军 宫箭 Dwell time and escape tunneling in InAs/InP cylindrical quantum wire Li Ming Chen Jun Gong Jian 引用信息Citation: Acta Physica Sinica 63, 237303 (2014) DOI: 10.7498/aps.63.237303 在线阅读View online: /10.7498/aps.63.237303 当期内容View Table of Contents: /CN/volumn/home.shtml 您可能感兴趣的其他文章 Articles you may be interested in 门电压控制的硅烯量子线中电子输运性质 安兴涛, 刁淑萌 2014, 63(18): 187304. 全文: PDF (637KB) 基于AlGaN/GaN 共振隧穿二极管的退化现象的研究 陈浩然, 杨林安, 朱樟明, 林志宇, 张进成 2013, 62(21): 217301. 全文: PDF (366KB) 对称双势垒量子阱中自旋极化输运的时间特性 王瑞琴, 宫箭, 武建英, 陈军 2013, 62(8): 087303. 全文: PDF (324KB) 费米超流气体在幺正极限区域的非线性Ramsey 干涉 蒙红娟, 苟学强, 王文元, 杨阳, 马莹, 马云云, 段文山 2012, 61(19): 197301. 全文: PDF (427KB) 费米超流气体的非线性Landau-Zener 隧穿 王文元蒙红娟杨阳祁鹏堂马云云马莹段文山 2012, 61(8): 087302. 全文: PDF (300KB) 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 23 (2014) 237303 InAs/InP柱型量子线中隧穿时间和逃逸 问题的研究 黎明 陈军 宫箭 (内蒙古大学物理科学与技术学院, 呼和浩特 010021) ( 2014 年6 月25 日收到; 2014 年8 月4 日收到修改稿) 在有效质量近似和绝热近似下, 利用转移矩阵法研究了电子通过InAs/InP/InAs/InP/InAs 柱形量子线 共振隧穿二极管的输运问题, 分析和讨论了电子居留时间以及电子的逃逸过程. 详细研究了外加电场、结构尺 寸效应对居留时间和电子逃逸的影响. 居留时间随电子纵向能量的演化呈现出共振现象; 同时, 结构的非对 称性对电子居留时间有很大的影响, 随着结构非对称性的增加, 居留时间表现出不同的变化. 利用有限差分 方法研究了非对称耦合量子盘中电子的相干隧穿逃逸过程. 关键词: 量子线, 居留时间, 共振隧穿, 逃逸 PACS: 73.21.Hb, 73.40.Gk DOI: 10.7498/aps.63.237303 8 等 通过在InAs 量子线中内置双InP 异质结的方 1 引 言 法, 成功制备了纳米线共振隧穿二极管(RTD), 这 对大带隙异质结器件设计制造有重要的意义. 同 电子及光电设备影响社会的很多领域, 从简 年, 瑞典Lund 大学的Samuelson 小组将分子束外 单的家电和多媒体系统到通信、计算机、医疗器械 延技术与VLS 技术相结合, 在GaAs 衬底上生长 等诸多方面12 . 在这样大的需求下, 要求开展 出了包含InAs/InP 异质结构的量子线. 2003 年, 更多新功能和强大性能器件的开发和应用, 同时 Bakkers