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2. N型半导体和P型半导体 杂质半导体的示意表示法 3. PN结的形成 4、 PN结的单相导电性 PN 结加反向电压（反向偏置） 8.1.2 半导体二极管 8.1.2 半导体二极管 2. 二极管的伏安特性 3. 二极管的主要参数 4. 应用举例 5. 稳压二极管 主要参数 稳压管稳压电路 8.1.3 晶体管 1. 晶体管的基本结构与类型 2.电流分配关系和放大原理 晶体管电流测量数据 放大的概念: 8.1.1 放大电路的组成及工作原理 (2) 输入电阻 3. 共射放大电路的电压放大作用 3. 共射放大电路的电压放大作用 结论： 3. 实现放大的条件 4、直流通路和交流通路 8.2.2 放大电路的分析 1. 估算法： 2）根据直流通道估算UCE、IC 2. 图解法： 2. 图解法： 二、 动态分析 微变等效电路法 6. 非线性失真： 动态分析图解法 动态分析图解法 非线性失真 非线性失真 讨论课 题2 题3 题4 题5 题6 题7 （PNP三极管放大器） 8.3 静态工作点的稳定 一、 温度变化对静态工作点的影响 二、分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 参数的选择 Q点稳定的过程 2. 静态工作点的计算 3. 动态分析 例1: 【解】 （2）微变等效电路如图。 8.4 共集电极放大电路 共集电极放大电路(射极输出器)的特点： 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 8.5 多级放大电路 2.阻容耦合放大电路 若Q设置过低， 晶体管进入截止区工作，造成截止失真。 适当增加基极电流可消除失真。 ui uo t iB/?A iB/?A uBE/V t uBE/V UBE O O O Q Q uCE/V t iC/mA uCE/V O O UCE 如果Q设置合适，信号幅值过大也可产生失真，减小信号幅值可消除失真。 从静态工作点的设置和微变等效电路上，判断各电路对输入的正弦交流信号ui有无放大作用，并说明原因。假设各电容对交流信号均可视为短路。 ui 幅度很小，在10mV以内。 RB +EC RE C1 C2 T ui uo 无放大作用 静态IB、IC=0 题1 RE +EC RC C1 C2 T ui uo CE 无放大作用。 输入信号通过直流电源对地短路 无放大作用。 输入信号通过电容C3及直流电源对地短路 RE +EC RC C1 C2 T ui uo CE C3 RB 无放大作用。 无RC，输出电压=0 RE +EC C1 C2 T ui uo RB RB +EC RC C1 C2 T ui uo 无放大作用。 PNP三极管，无静态电流 PNP三极管，接负电源- EC IC IE IB 电解电容极性倒过来 RB +EC RC C1 C2 T ui uo + + 电解电容 -EC + + R1 -EC RC C1 C2 T ui uo R2 RE + + + RL 电解电容 合理设置静态工作点是保证放大电路正常 工作的先决条件。但是放大电路的静态工作 点常因外界条件的变化而发生变动。 前述的固定偏置放大电路，简单、容易调 整，但在温度变化、三极管老化、电源电压 波动等外部因素的影响下，将引起静态工作 点的变动，严重时将使放大电路不能正常工 作，其中影响最大的是温度的变化。 后一页 前一页 返回 iC uCE Q 温度升高时，输出特性曲线上移 结论： 当温度升高时， IC将增加，使Q点沿负载线上移，容易使T进入饱和区造成饱和失真，甚至引起过热烧坏三极管。 Q′ 固定偏置电路的Q点是 不稳定的，为此需要改进偏置电路。当温度升高使 IC 增加时，能够自动减少IB，从而抑制Q点的变化，保持Q点基本稳定。 后一页 前一页 返回 基极电位基本恒定， 不随温度变化。 后一页 前一页 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB VB + + + +UCC ui uo + + – – 返回 集电极电流基本恒 定，不随温度变化。 后一页 前一页 RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL I1 I2 IB VB + + + +UCC ui uo + + – – 返回 二、分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 从Q点稳定的角度来看似乎I2、VB越大越好。但 I2 越大，RB1、RB2必须取得较小，将增加损耗，降低输入电阻。而VB过高必使VE也增高，在UCC一定时，势必使UCE减小，从而减小放大电路输出电压的动态范围。 在估算时一般选取： I2=（5 ~10）IB，VB=（5 ~10）UBE， RB1、RB2的阻值一般为几十千欧。 后一页 前一页