化合物半导体器件的辐射效应.ppt

化合物半导体器件的辐射效应 涉及的典型化合物半导体器件类型, 微电子器件: 单极器件—MESFET,双极器件—HBT 光电子器件: LED,LD,光探测器 微电子器件: GaAs MESFET, 结构及输出特性 结构 输出特性 GaAs MESFET的工作原理、优点及用途 工作原理:多子器件(单极),电压控制,类似MOSFET,但输入为金属同半导体接触的肖特基结 优点:由于、μ GaAs~6 μ Si, VGaAs(饱和)2V Si（饱和） ，因此， GaAs MESFET的工作频率比同类 Si器件高很多。 用途：自1976年问世以来发展迅速，从微波低噪声放大器件到微波功率器件，从厘米波到毫米波器件，广泛用于航天、通信、雷达、电子对抗等各种领域。 GaAs MESFET的总剂量电离辐射效应 由于不存在MOSFET那样的栅SiO2,因此总剂量电离辐射效应影响较小，很多实验证实， GaAs MESFE的耐总剂量电离辐射能力可以达到107rad以上。 增益Gp同γ总剂量的关系 噪声系数N同γ总剂量的关系 GaAs MESFET的中子辐射效应 高能中子同GaAs晶格原子碰撞，使其离开平衡格点—位移，产生“空位”及“间隙”，由此引入缺陷中心和陷阱。它们起复合中心作用，使少子寿命下降；吸收导带的自由载流子，使电阻率增加；形成附加的电离散射中心，使迁移率降低。 GaAs MESFET的DLTS谱 下图示出GaAs MESFET的DLTS谱随中子辐射注量的变化。经Фn=3x1015n/cm2及Фn=1x1016n/cm2辐照以后，形成了二个窄峰：U带（240K）及EL2（375K）。这些陷阱可造成载流子的去除（ND）下降。 ND 同Фn 的关系 ND＝ND0[1－（β/ND0）Фn] ND0为辐射前的载流子浓度，β为损伤系数,适当提高沟道外延层的掺杂浓度ND ，可以提高GaAs MESFET的抗中子能力。 Gp 及NF 随 Фn 的关系 下图示出一个典型器件 Gp 及NF随Фn 的关系 适当选择栅压可以得到很高的耐中子辐射能力。 GaAs MESFET瞬态辐射效应 栅下耗尽区及附近的沟道区产生电子空穴对，在电压作用下形成瞬时辐射电流. 半绝缘衬底产生附加载流子，从而形成衬底附加电流。 在掺铬的半绝缘衬底中，铬杂质形成陷阱能级，陷阱俘获辐射产生的电子，使衬底带负偏压，它使沟道区变窄，因此漏电电流突然下降，这种现象称为“背栅效应”（见左图）。瞬态辐射后，被俘获的电子逐渐释放（几秒至几十秒），漏电电流逐渐恢复到原始值（见右图，X辐射，脉冲3ns，E=600KeV，γ`=3.3x1010(Si/s) 背栅瞬时辐射效应的加固措施 1．采用不掺铬的高纯GaAs半绝缘衬底，消除陷阱能级可以抑制背栅效应。 2．采用P型埋层（右上图）屏蔽衬底电场对沟道的影响，采用不掺杂的Al GaAs缓冲层（弱P型）抑制背栅的影响，其效果见右下图。 GaAs MESFET集成电路的单离子效应 测试结果表明,GaAs MESFET IC对单离子效应有较高的敏感性，一个IC的数据表明,其误差为10-3误差/位·每天。 测试发现未加固的MESFET其LET阈值很低，小于1MeV cm2/g，这是一个比较低的值。 加固方法：瞬态辐射加固的方法有利于SEU的加固。 AlGaAs/GaAs HBT的结构及优点 异质结双极晶体管由宽带隙（例如Eg=1.8ev）的AlGaAs作发射极,窄带隙的GaAS(Eg=1.43ev)作基极。在发射极—基极处产生带隙差ΔEg。（例如ΔEg=0.37ev）。结构见右图。 异质结双极晶体管的电流放大系数 β 异质结双极晶体管的电流放大系数 β可用下式表示： β=(Ne/P=)(νnb/νpe)exp(ΔEg/KT) Ne，Pb分别为发射区及基区多子浓度 νnb，νpe分别为在发射区及基区的平均速度， 对于同质结双极晶体管，ΔEg=0，β主要由Ne/Pb决定, β要大，Ne必须 》Pb。 对于异