第一章扩散.pptx

半导体工艺原理 第一章 扩 散 本章内容 前言 扩散是微观粒子(如原子、分子)的一种极为普遍的运动形式。 半导体工艺中的扩散，就是利用固体中的扩散现象，使一定 种类和一定数量的杂质掺入到半导体中，以改变半导体的电 学性质。 从本质上讲，扩散是微观粒子作无规则热运动的统计结果。 这种运动总是由粒子浓度较高的地方向着浓度较低的地方进 行，而使得粒子的分布逐渐趋于均匀；浓度的差别越大，扩 散也越快。 前言 费克第一定律 由此可见，发生扩散的必要条件是扩散的粒子具有浓度梯度。 这就是费克第一定律的数学表达式。 式中负号表示扩散是由高浓度向低流处进行；比例常数D是粒子的扩散系数（取决于粒子本身的性质和扩散条件）；D的大小直接表征着该种粒子扩散的快慢。 在一维情况下，单位时间内垂直扩散通过单位面积的粒子数——扩散粒子流密度J(x,t)，与粒子的浓度梯度 dN(x,t)/dx 成正比，即 前言 式中ΔE 称为扩散激活能； D∞ 是一个与温度无关的常数，称为表观扩散系数（即T→∞ 时的扩散系数）；k是玻尔兹曼常数。 ΔE 和D∞是决定扩散系数的两个基本量。 对半导体中杂质原子的扩散，扩散系数D与温度T(K)之间有如下指数关系： 第一章 扩散 §1.1半导体中杂质原子扩散的微观机构 半导体中的原子是按一定规则连续排列的。杂质原子是如何扩散进入到半导体中去呢？ 扩 散 方 式 §1.1 半导体中杂质原子扩散的微观机构 §1.1 半导体中杂质原子扩散的微观机构 间隙式扩散（interstitial） 替位式扩散（substitutional） §1.1 半导体中杂质原子扩散的微观机构 对于具体杂质而言，究竟采用哪一种方式扩散则取决于杂质本身性质。 一、间隙式扩散 晶体中的间隙原子要由一个间隙运动到近旁的另一个间隙处，必须挤过一个较窄的缝隙。从能量来看，这就是说必须越过一个势能较高的区域——势垒（Ei）。 对硅而言，Au、Ag、Cu、Fe和Ni等半径较小的杂质原子按间隙式扩散；而P、As、Sb、B、Al、Ga和In等半径较大的杂质原子则按替位式扩散。 根据玻尔兹曼统计，在一定温度下，间隙原子在间隙中心位置附近不断进行热运动，其振动频率为v0时，间隙原子依靠热涨落以获得大于Ei能量的几率正比于exp(- Ei/kT)，其中k为玻尔兹曼常数，则单位时间内间隙原子越过势垒跳到相邻间隙去的几率，即跳跃率为： §1.1 半导体中杂质原子扩散的微观机构 为了明确间隙原子的扩散系数D与温度T之间的关系，下面进一步讨论Pi与D之间的关系。 §1.1 半导体中杂质原子扩散的微观机构 可见，间隙原子扩散的激活能就是间隙原子运动到近旁另一个间隙位子所需要的能量。 §1.1 半导体中杂质原子扩散的微观机构 二、替位式扩散 替位原子的远动的前提：其近邻处必须有空位存在。 §1.1 半导体中杂质原子扩散的微观机构 替位原子从一个格点位置运动到另一个格点位置，也像间隙原子一样，必须越过一个势垒Es 。替位原子依靠涨落而能够跳过势垒Es的几率为: v0exp(-Es/kT)，其中v0为其振动频率。 可见，替位原子的运动也与温度密切相关。 类似于对间隙原子扩散的讨论，可得到在替位式扩散时，D与T的关系: §1.1 半导体中杂质原子扩散的微观机构 (1-11) （2）替位原子的扩散激活能比间隙原子的大，这就决定了替位原子的 扩散系数比间隙原子的小得多，即替位原子的扩散要比间隙原子 慢得多。 §1.1 半导体中杂质原子扩散的微观机构 表1-1 硅中杂质扩散相关参数 第一章 扩散 §1.2半导体中杂质原子扩散的浓度分布 §1.2 半导体中杂质原子扩散的浓度分布 一、扩散方程（费克第二定律） 根据实际情况下的边界条件和初始条件，求解扩散方程，就可以得到扩散杂质的分布N(x,t)。 即 §1.2 半导体中杂质原子扩散的浓度分布 二、恒定表面源扩散 §1.2 半导体中杂质原子扩散的浓度分布 恒定表面源扩散：整个扩散过程中，半导体表面的杂质浓度Ns 始终不变。 §1.2 半导体中杂质原子扩散的浓度分布 恒定表面源扩散的主要特点： ① 杂质分布形式 恒定源扩散，其表面杂质浓度Ns基本上由该杂质在扩散温度(900-1200℃)下的固溶度所决定，在900-1200℃范围内，固溶度随温度变化不大，很难通过改变温度来达到控制表面浓度Ns的目的，这是该扩散方法的不足之处。 如果扩散杂质与衬底原有杂质的导电类型不同，在两种杂质浓度相等处会形成p-n结。 §1.2 半导体中杂质原子扩散的浓度分布 ② 结深