《计算机组成原理与汇编语言程序设计》第二版 复习与作业解答三.ppt

计算机组成与结构 主讲人 王健 ? 数值表达式 3、连接——生成可执行程序 连接程序：LINK 格式： LINK *.OBJ 若需连接多个OBJ文件，则用“+”连接。 生成的主要文件 可执行文件（.EXE） 内存映像文件（.MAP） 4、调试与运行 调试程序：DEBUG （1）DEBUG的进入与退出 D: DEBUG ? - N TEST.EXE ? 进入DEBUG, 出现提示符- 装载文件： - L ? 第6章 存储系统 本章主要内容： 存储器的分类、技术指标 各类存储原理 主存储器的组织 高速缓冲存储器 外部存储器 物理存储系统的组织 虚拟存储系统的组织 一、 概述 1.按存储器在系统中的作用分类 （1）内部存储器 主要存放CPU当前使用的程序和数据。 速度快 容量有限 （内存、主存） （2）外部存储器 存放大量的后备程序和数据。 速度较慢 容量大 （辅存、外存） （3）高速缓冲存储器 存放CPU在当前一小段时间内多次使用的程序和数据。 速度很快 容量小 2.按存取方式分类 随机存取： 可按地址对任一存储单元进行读写， （1）随机存取存储器（RAM） 访问时间相同，与单元位置地址无关。 （2）只读存储器（ROM） 随机存取存储器的特例，只能读不能写。 （3）顺序存取存储器（SAM） 访问时，读/写部件按顺序查找目标地址，访问时间与数据位置有关。 （4）直接存取存储器（DAM） 访问时,读/写部件先直接指向一个小区域，再在该区域内顺序查找。访问时间与数据位置有关。 二、 存储原理 1 半导体存储器的存储原理 MOS型 电路结构 PMOS NMOS CMOS 工作方式 静态MOS 动态MOS 存储信息原理 静态存储器SRAM 动态存储器DRAM 依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息。 功耗较小,容量大,速度较快,作主存。 功耗较大,速度快,作Cache。 制造工艺 双极型 依靠电容存储电荷的原理存储信息。 2、 磁表面存储器的存储原理 1）.记录介质与磁头 介质： 磁层（矩磁薄膜），依附在基体上 磁头： 读写部件 2）.读写原理 （1）写入 磁头线圈中加入磁化电流（写电流），并使磁层移动，在磁层上形成连续的小段磁化区域（位单元）。 （2）读出 磁头线圈中不加电流，磁层移动。当位单元的转变区经过磁头下方时，在线圈两端产生感应电势。 3.磁记录编码方式 写电流波形的组成方式。 提高可靠性 提高记录密度 减少转变区数目 具有自同步能力 （1）归零制（RZ） I 0 t 0 0 1 1 0 1 每一位有两个转变区，记录密度低。 （2）不归零制（NRZ） 0 0 1 1 0 1 I 0 t 转变区少，无自同步能力。 （3）不归零-1制（NRZ1） 写1时电流极性变，写0时电流极性不变。 0 0 1 1 0 1 I 0 t 转变区少，无自同步能力。 用于早期低速磁带机。 （4）调相制（PM） I 0 t 0 0 1 1 0 1 转变区多，有自同步能力。 I 0 t 0 0 1 1 0 1 转变区多，有自同步能力。 用于早期磁盘。 用于快速启停磁带机。 （5）调频制（FM） 也叫相位编码制PE 每个单元都有极性转变 三、 主存储器的组织 1、 主存储器的逻辑设计 需解决： 芯片的选用、 地址分配与片选逻辑、 信号线的连接。 2.动态存储器的刷新 单管存储单元：定期向电容补充电荷 最大刷新周期： 2ms 刷新方法： 各芯片同时，片内按行 刷新一行所用时间 刷新周期： 对主存的访问 由CPU提供行、列地址，随机访问。 读/写/保持： 动态刷新： 由刷新地址计数器提供行地址，定时刷新。 2ms内集中安排所有刷新周期 死区 用在实时要求不高的场合 （1）集中刷新 R/W 刷新 R/W 刷新 2ms 50ns （2）分散刷新 各刷新周期分散安排在存取周期中。 R/W 刷新 R/W 刷新 100ns 用在低速系统中 2ms 例. 各刷新周期分散安排在2ms内。 用在大多数计算机中 128行 ≈15.6 微秒 每隔15.6微秒提一次刷新请求，刷新一行；2毫秒内刷新完所有行。 R/W 刷新 R/W 刷新 R/W R/W R/W 15.6微秒 15.6 微秒 15.6 微秒 刷新请求 （DMA请求） （3）异步刷新 刷新请求 （DMA请求） 6.3.2 主存储器与CPU的连接 （2）较大系统模式 CPU 存储器 地址 数据 R/W （1）最小系统模式 CPU 存储器 地址 地址锁存器 收发缓冲器 总线控制器 数据 控制 1.系统模式 （3）专