汇编语言与接口技术 第2章 80x86微处理器.ppt

* * 补充 Intel 8086 CPU工作时序 系统的复位和启动操作 最小模式下的总线读操作 最小模式下的总线写操作 * * CPU与主存储器的连接 CPU MM 地址 锁存器 AD15~AD0 A19~A16 /S6~S3 A19~A0 D15~D0 T1时刻 T2~T4时刻 T1~T4时刻 ALE 总线 收发器 DEN * * 1、系统的复位和启动操作 当8086 CPU的RESET引脚上检测到有上升沿时，进入复位时序； 时钟脉冲CLK同步外部复位信号 内部RESET在外部RESET有效后的时钟周期上升沿有效； 复位状态 地址线浮空，ALE、HLDA信号无效，其他控制信号保持半个时钟周期高电平，再浮空； 内部寄存器清零（CS除外，置为0FFFFH），指令队列清空。 * * 2、最小模式下的总线读操作 T1 —— 数据/地址复用线发地址信息 在ALE 控制下，地址信息被锁存器锁存，并经 AB 传送给存储器，且在整个读周期内均有效； T2 —— 缓冲 由于地址、数据信息流向不一致； T3、T4 —— 数据/地址复用线为数据读有效 存储器单元数据经 DB 送数据缓冲器，在控制信号RD#、DEN#、DT/R# 控制下完成读操作； 若存储器或外设的存取速度较慢，则在T3和T4之间插入若干个等待周期Tw。 * * 读周期时序 * * 读时序分析 分离地址线 T1时， ALE为高电平，选通锁存器，锁存地址信息； T2T3T4时，ALE 为低电平，锁存器输出稳定的地址； 允许数据线 T1时，DEN#为高电平，缓冲器无效，无数据操作； T2T3T4时，DEN#为低电平，缓冲器有效，开始传送数据； 读数据 T1T2T3T4时，DT/R#为低电平、RD#为低电平； 若 M/IO#为高电平，则CPU从存储器单元中读数据； 若 M/IO#为低电平，则CPU从I/O端口中读数据。 * * 3、最小模式下的总线写操作 T1 —— 数据/地址复用线发地址信息 在控制线 ALE 控制下，地址信息被锁存器锁存并经 AB 传送给存储器，且在整个写周期均有效； T2 ~ T4 —— 数据/地址复用线为数据写有效 在控制线WR#、DEN#、DT/R#控制下完成写操作； 数据通过双向缓冲器经 数据总线DB 送至存储器单元； 由于地址、数据信息流向一致，不需要T2作为缓冲。 * * 写周期时序 * * 本章小结 掌握CPU的内部结构，以及主要寄存器的基本特点，能够在以后的汇编语言程序设计中灵活使用； 注意段寄存器和标志寄存器的含义； 理解16位系统中的存储器管理模式，清楚存储单元地址的含义和变换； 了解8086 CPU的主要引脚及特点； 除基本的地址数据复用线外，主要关注以后使用的引脚； 理解8086 CPU的主要工作时序； 最小模式下，总线的读写操作时序； 能够根据指令，写出与读写时序相关的控制信号状态； * * 汇编部分作业 P36 1、4 补充作业： 1、为什么实模式下的每个段不能超过64KB？ 2、设有一个包含8个字的数据区，起始地址为2100:2A10H，请给出该数据区首末字单元的物理地址。 * * 接口部分作业 1、8086/8088 CPU在内部结构上由哪几部分组成？各部分具备哪些主要功能？ 2、简述8086主要控制信号M/IO#、WR#、RD#、ALE、INTR、INTA#、NMI的意义。 3、根据8086存储器读、写时序图，回答如下问题：（1）地址信号在哪段时间内有效？（2）读操作与写操作的区别？（3）存储器读、写时序与I/O读、写时序的区别？ * * 判断标志位状态 例：计算（-56）+（-67）=? ，并给出6个状态标志位的状态。 1100 1000 ＋ 1011 1101 ———————— （1）1000 0101 CF= ， ZF= ，SF= ，OF= = -123D 1 0 1 0 （-56）补＝1100 1000 （-67）补＝1011 1101 * * 2.2 存储器物理地址的形成 2.2.1 存储器的结构 2.2.2 物理地址的形成 2.2.3 存储器单元的地址和内容 * * 2.2.1 存储器结构 主存储器用于存放系统运行所需要的所有的程序和数据； 开机后自动从BIOS和辅存中调入数据，掉电后丢失； 存储器的基本单位是存储单元； 每个存储单元的大小可以是一个字节，或一个字； 8086 CPU的主存是以字节进行组织的； 每个存储单元都有一个唯一的编号，称为物理地址，用于CPU访问； 存储器容量单位 bit、Byte、KB、MB、GB * * 物理地址（Physical Ad