※CMOS集成门电路的特点※.PDF

第九讲CMOS门电路 ※ CMOS集成门电路的特点 ※ ※ CMOS集成门电路的特点 ※ 《数字电子技术基础》 第九讲CMOS门电路 █ CMOS集成门电路的特点 ◆静态功耗低。 例：电源电压VDD ＝5V时，MSI 电路的静态功耗 100mW，比较适于LSI 电路。 ◆电源电压范围宽。 例：CC4000 系列VDD 为3～18V。 ◆输入阻抗高。 例：正常工作的CMOS集成电路工作频率较低时直 流输入阻抗100M Ω。 《数字电子技术基础》 第九讲CMOS门电路 ◆逻辑摆幅大。 例：空载时输出高电平VOH=(VDD-0.05V)～VDD ，输 出低电平VOL=VSS～(VSS+0.05V) 。 《数字电子技术基础》 第九讲CMOS门电路 ◆噪声容限大，抗干扰能力强。 噪声容限是指在保证逻辑功能的前提下，对于输入 信号（前级输出的标准电平）来说，在此输入信号电平基 础上允许叠加的噪声（或干扰）电压的值。 CMOS集成电路的 输入电压噪声容限可 达电源电压的45 ％， 而且高低电平噪声容 限基本相等。一般， VDD越高，噪声容限 越大。 《数字电子技术基础》 第九讲CMOS门电路 ◆扇出能力强。 扇出系数是指门电路输出端最多能带同类门的个 数，它反映了门电路最大带负载的能力。 例：低频工作 时，一个CMOS 门电 路输出端可驱动50个 以上的CMOS器件的 输入端。 ◆温度稳定性好，且有较强的抗辐射能力。 ◆集成度高，成本低。 《数字电子技术基础》 第九讲CMOS门电路 █ CMOS集成电路的不足 （1）4000系列的工作速度一般比TTL 电路低。 （2 ）功耗随频率的升高而显著增大。 《数字电子技术基础》