《工业硅化学分析方法碳含量的测定红外吸收法》（讨论稿）编制说明.DOC

国家标准《硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换 红外光谱法》（讨论稿）编制说明 工作简况 项目背景和立项意义 半导体材料（尤其是集成电路工业）是电子信息产业的基础和核心，是国民经济现代化与信息化建设的先导与支柱产业。半导体硅（单晶或多晶）材料则是半导体工业的最重要的主体功能材料，至今全球信息产业使用的硅材料仍占半导体材料总量的95％以上，而且国际集成电路（IC）芯片及各类半导体器件的95％以上也是用硅片制造的。半导体产业的发展是建立在晶体硅材料的研究基础上，一般要求晶体的质量越高越好。氧和碳是硅晶体中两种最主要的轻元素杂质，无论是对单晶硅材料还是太阳能电池和电子器件的性能都存在一定的影响，因此，准确地检测氧和碳含量，对硅材料具有重要意义。GB/T 25074-2010《太阳能级多晶硅》和GB/T 12963-2009《硅多晶》分别规定了氧和碳的指标要求。现行国家标准GB/T 1557-2006《硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法》和GB/T 1558-1997《硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法》分别规定了间隙氧和代位碳的常温红外测定方法。但在常温条件下，碳和氧的检测灵敏度不高，检测下限为5×1015atoms·cm-3，而在低温条件下，碳和氧的检出限可以达到1×1015atoms·cm-3，检测灵敏度大大提高，可以很好地满足各种电子级高纯硅材料的检验需求，对进一步促进半导体及光伏产业的发展，提高产品质量，增强产品在国际市场的竞争力，具有重要的现实意义。 2、任务来源 2012年11月，昆明冶研新材料股份有限公司提出《硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》国家标准的立项申请，由国家标准化管理委员将其列入2014年度国家标准制定项目计划。2014年12月，根据《国家标准委关于下达2014年第二批国家标准制修订计划的通知》（国标委综合[2014]89号）的要求，《硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》国家标准的起草任务，由昆明冶研新材料股份有限公司负责，计划号T-469，任务完成时间为2014年～2015年。 3、起草单位 昆明冶研新材料股份有限公司是由昆明冶金研究院部分转制后成立的经国家科技部双高认证的高科技公司，2010年被云南省政府命名为“云南省自主创新型企业”。公司目前科技人员占职工总数的80%以上，具有较高的科技水平与创新能力。公司一期3000吨多晶硅项目现已经在曲靖市经济技术开发区南海新区建成投产，在建设及试生产过程中积累了大批相关的技术成果并形成了专业的人才队伍，具有快速消化国外引进技术和开展研发与自主创新的能力。在使用改良西门子法生产多晶硅的过程中，使用工业硅作原料生产多晶硅，公司对工业硅质量控制和分析检测取得了良好经验，公司生产的多晶硅产品质量60%以上达到GB/T 12963-2009《电子级多晶硅》标准要求。 公司分析实验室于2010年建成并投入使用，配有分析检测专职人员近30人，具有高级职称或研究生以上学历研究人员5人，专业技术人员占部门员工人数的90%以上，是一支对多晶硅生产分析控制有一定经验的技术队伍。拥有1000级洁净实验室400平米，从国外引进配备了目前世界上最为高端的诸多精密分析仪器，如有美国热电公司的电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）、电感耦合等离子体原子发射光谱仪（ICP-AES）、美国安捷伦公司的气相色谱仪（GC）、气相质谱联用仪（GC-MS）、德国布鲁克公司的低温傅里叶变换红外光谱仪(LT-FTIR)、常温红外光谱仪、高频红外碳硫分析仪等分析检测仪器，具备标准起草工作的实验条件和能力。 4、主要工作过程 自任务下达后，昆明冶研新材料股份有限公司成立了标准起草小组，明确了工作指导思想，制定了工作原则，确定了编制组成员、任务分工和实验计划。编制组首先对收集的国内外资料进行分析整理和研讨，为标准编制提供技术参考和支撑。与此同时，组织专业技术人员做了大量单晶硅中氧、碳含量低温红外分析方法的实验工作，在此基础上，结合公司生产的实际情况和具体实验结果，对拟制定的标准所涉及的内容、范围、适用性、可操作性、科学性等内容进行了认真研讨、论证和改进。 2014年12月以来，编制组组织分析技术人员做了大量的实验研究工作，对标准文本做了多次修改，形成标准讨论稿。 二、编制原则和确定主要内容的依据 1、编制原则 本标准起草单位自接受起草任务后，成立了本标准编制工作组，具体负责本标准分析方法的试验和起草工作，标准起草所遵循的基本原则： 1）适用性原则：根据国内多晶硅生产和下游使用厂商的具体情况，主要针对应用单位对多晶硅产品中氧、碳含量的检测需求为依据进行编制，力求做到标准的合理性与实用性，标准规定的检测方法中实验仪器、试剂易购买，实验条件易达到，检测范围能满