光学实验报告（结报）指导教授：陈志隆实验名称：全像术实验（二）即时.DOC

光學實驗報告（結報） 指導教授：陳志隆 實驗名稱：全像術實驗（二） 即時全像干涉 組員：物理四　蔡宜絹　 物理三 陳義宏 物理三　鍾森年 (共同撰寫) 組別：第一組 實驗日期：２００１.０３.２３ 一、實驗目的： 1、了解全像干涉產生的原因。 2、認識即時全像干涉片的拍攝過程。 3、即時全像干涉與非破壞性檢測 二、實驗內容： 1、系統整備。 2、光程調整。 3、雷射光偏振面調整。 4、空間濾波器調整。 5、光強度測量與分配。 6、全像拍攝。 7、即時全像干涉的觀察與測量。 三、實驗器材： 4呎x6呎光學桌。 空氣壓縮機。 He-Cd雷射。 HC-300熱塑片相機。 熱塑相機驅動器。 高壓N2氣瓶及調制閥。 電子快門及驅動器。 光束高低調整組。 密度式濾波片。 平面反射鏡及支架（3組）。 空間濾波器及支架（2組）。 傾斜平檯（3個）。 磁性固定座（4個）。 S370光度計。 固定壓板及M6螺絲（一批）。 內六角板手。 捲尺。 幕屏。 S/N264感測頭。 熱塑底片。 量角器。 x20物鏡（F1用）。 x40物鏡（F2用）。 10μm微孔。 15μm微孔。 遮光布罩。 Babinet補償器。 檢偏鏡。 遮光板。 四、原理： 即時全像術（單次曝光法） 將全像片記錄一次物體光和參考光，再用相同的光學系統將光在底片上重複曝光，兩道光有相位差，在底片上呈現亮暗、亮暗的干涉條紋，再用一道參考光即可將此亮暗條紋重現（為虛像），可用以做為物體結構非破壞性檢測。 熱塑膠片工作原理 光導熱塑料是一種相位型光記錄介質，其利用“靜電錄相法“記錄全像圖，其結構如圖1所示，在玻璃基板上，依次塗佈氣化錫透明導電層、光電導體層及熱塑料層。 由於此材料在可見光中，敏感度可以和鹵化銀照相材料相比，又不需要相應的化學沖洗手續，可以在原地執“充電“、“加熱顯影“及“冷卻定影“記錄工作，是一種非常方便與乾淨的錄像材料，唯其對低頻及高頻的響應均不好，大約在600~1400lines/mm之間。 熱塑片其頻率響應的分佈，常常是狹窄的，它的中心，頻率f0,由熱塑層厚度d來決定(f0=1/2d)，故在全像記錄中，若已知熱塑層厚度d值，應使參考光與物體光間的夾角θ儘量滿足下式 θ=2Sin-1λ/4d 如此在底片上所形成的干涉紋，空間頻率剛巧與熱塑料的中心頻率相重合，在此條件下才可得到最大的繞射效率及信噪比。 光傳導塑片的錄像處理程序： 充電：利用高壓在暗室中把材料表面充上一層電荷，使其均勻帶電。(參考圖1(a)) 曝光：將干涉紋的影像照射在片子上，此時光電為體層，將依條紋的明暗程度放電，使得有光照射處，下層(陰層)電子可通過光導電層，移到光導電層的上沿。此時熱塑料表面電荷分佈仍然均勻，但因感光區的正負電荷較近，放電位較低。(參考圖1(b)) 再放電：再次利用高壓充電，此時熱塑料表面的電位一致，但材料表面的電荷分佈，則依底片曝光的程度改變，曝光程度大的部份電荷較多。(參考圖1(c)) 顯影：將材料加熱到熱塑料的焐點附近(大約在600C~1000C)，當材料軟化時，因熱塑料上下兩側正負電荷間有引力，會使熱塑料發生變形，使光照處凹陷變薄。(參考圖1 (d))。 定影：此時把材料迅速冷卻到室溫；這厚薄的分佈即會凍結，形成全像軟片。 再生：把熱塑材料加熱至熔點附近，持續一段時間，因在高溫下，熱塑料絕緣很差，故不會有表面電荷存在，原先的變形力消失，於是表面張力可使材料恢復成原來的平面狀，可重覆使用(參考圖1(e))。若依規定程序操作，一張底片大約可重覆使用300次左右，但頻率響應會有少許降低。 圖1. 熱縮膠片的紀錄過程 五、裝置圖： 圖2. 裝置圖 六、步驟： 系統整備： 參考圖2，了解下表各光學元件符號。測量各光學元件支架高度的可調範圍，填入下表格，由表選定雷射光束的工作高度。 調整M1使其射出光束水平，且高度等於工作高度。 參考圖2所示，依序將M3、M4、A、BS、M2、C各光學元件置入相關位置，調整各元件，使入射光束與反射光束保持水平。 使M2→C光束與A→C光束二者夾角等於200（滿足底片特性）。 光程調整： 分別測量物體光與物體光的光程，記錄。 分別調整M2與M4位置，使上述兩個光程相差在1cm以內。 當光程調整完成，鎖定各元件的支架。 記錄每一個元件的位置、座標。（以M1旁固定孔為原點） 雷射光偏振面調整： 本次實驗所使用的He-Cd雷射，其偏振面平行桌面，因熱塑相機HC-300的防塵蓋正面有垂直偏振鍍膜，故必須使雷射光的偏振面旋轉900角。 將檢偏鏡P的偏振面，調整在與桌面垂直的方向上，並將P置於M2與C之間，使P點以後的光強度幾