5-6学时(第三章二极管电路模型和稳压管).pptVIP

折线模型体现出二极管的管压降不是恒定的，描述更为真实。折线模型是直流模型，rD不是交流电阻。当研究交流通路时，将直流电压源短路，rD用rd代替。 VDD=1V 时与二极管的导通电压在一个数量级上，所以用三种模型等效的结果差别很大。 若使稳压管正常工作，输入电压一定大于输出电压。 利用金属（铝、金、钼、钛等）在N型半导体接触面形成势垒二极管。 SBD的主要优点包括两个方面：1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。　　2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。　　但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。 抛光面具有光的反射作用，形成光谐振腔。 利用砷化镓、磷化镓等化合物制成，通过电流时这些物质会放光，是电子与空穴复合释放出能量的结果。光谱范围较窄。 若按时间来展开，当?vD和?iD趋近无穷小时，它们即为交流信号的瞬时值。让同学讨论？ 由上面的最后一个公式可以看出， 小信号是以直流工作工作点为基础，小信号前提下在Q点附近的非线性变化近似为线性的变化。 注意：上面公式的推导，是研究在直流点附件的小信号的变化情况。 * 3.3.2 二极管的伏安(V-I)特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 3.3.3 二极管的参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR和 最大反向工作电压VRM (3) 反向电流IR (4) 极间电容CJ（CB、 CD ） 硅二极管2CP10的V-I 特性 IR (a) 势垒电容CB 描述势垒区的空间电荷随电压变化而产生的电容效应。 CB正比于PN结的面积S， 反比于耗尽区厚度?。 势垒电容与结电阻并联，它只有在外加电压改变时才起作用，特别是外加电压的频率越高CB的作用就越明显。在PN结反向偏置时作用更明显。利用这种特性可做成各种变容二极管。 (b) 扩散电容CD 扩散电容示意图 C为CB与CD并联的总效果。 当PN结处于正向偏置时，扩散运动使多数载流子穿过PN结，在对方区域PN结附近有高于正常情况时的电荷累积。存储电荷量的大小，取决于PN结上所加正向电压值的大小。离结越远，由于空穴与电子的复合，浓度将随之减小。 若外加正向电压有一增量?V，则相应的空穴（电子）扩散运动在结的附近产生一电荷增量?Q，二者之比?Q/?V为扩散电容CD。 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V -I 特性曲线。 例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：由电路的KVL方程，可得 即 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。 （1）理想模型 （a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型 当电源电压远高于二极管的管压降时用此模型。 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 （2）恒压降模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 （3）折线模型 （a）V-I特性 （b）电路模型 vD?0.7V，当iD大于或接近1mA时，模型合理，应用最广。 rD,Vth具有随机性 Vth 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1.二极管V-I 特性的建模 （4）小信号模型 vs =0 时, Q点称为静态工作点 ，反映直流时的工作状态。 vs =Vmsin?t 时（VmVDD）, 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化，得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。 Q 补充： 正向导通的函数表达为： 设系统的直流工作点Q为vD0，在Q附近进行Taylor展开： vD0 当（vD-