晶粒正常生长的MonteCarlo模拟-现代技术陶瓷.PDFVIP

第37 卷 第6 期 现 代 技 术 陶 瓷 Vol. 37 No. 6 2016 年12 月 Advanced Ceramics December 2016 中图分类号： TB34 文献编号： 1005-1198 (2016) 06-0434-08 文献标识码： A DOI ： 10.16253/ki.37-1226/tq.2016.07.002 晶粒正常生长的Monte Carlo 模拟 1 1 1 2 1 2 1,2 王 岗 ，刘 艳 ，徐宗畅 ，肖 岗 ，张耀予 ，谭 凯 ，林一歆 1 华中科技大学 中欧清洁与可再生能源学院，武汉 430074 2 华中科技大学 能源与动力工程学院，武汉 430074 摘 要：本文建立了晶界能各向同性情况下晶粒生长的二维Monte Carlo 模型，并对等温情 况下的晶粒生长过程进行了模拟。在模拟过程中，对传统Monte Carlo 方法中能量与概率统计方 法进行了改进。为了更加直观地显示出晶粒生长过程中系统能量的变化，统计了在整个晶粒生 长过程中能量的变化趋势，结果与晶粒尺寸变化相符合。模拟得到的晶粒生长指数在0.35 ~ 0.45 之间，与理论值相符，证明了改进方法的可靠性。 关键词：计算机模拟；晶粒生长；Monte Carlo 方法 Monte Carlo (MC) 方法是研究晶粒生长以及其相关过程的一种有效方法。使用MC 方法研究晶 粒生长的模型实际上是从Ising 模型和Potts 模型演化出来的，这两种方法最初被用于研究铁磁体系 统。使用MC 方法研究晶粒生长实际上就是将不同取向的晶体赋予不同的取向数，根据概率性原则 来决定晶粒生长这一传播过程。 最早将MC 方法运用到微观结构演化过程的人是Anderson 等人[1] 。后来，Anderson 等人又将这 种方法应用到晶粒生长[2] [3] [46] 、含有杂质粒子时的晶粒生长 ，异常晶粒生长 等过程。随后，Q-state Potts [7,8] [9] 模型开始被用于研究两相晶粒生长的机理 、晶粒生长过程中晶体结构的变化 以及外部条件对晶 粒尺寸分布的影响[10]等。近年来，关于晶粒生长的MC 模拟的研究主要着眼于对传统晶粒生长模型 的修改以使其更加贴合实际的晶粒生长过程，例如：Mason 等人[11]对模型中Hmiltonian 函数以及转 换概率进行了修改，模拟了动力学各向异性晶粒生长；Fang 等人[12]运用新的模拟算法模拟了单相和 两相陶瓷材料在烧结过程中材料组织结构的演化；Wang 等人[13]通过改进的 MC 算法模拟了晶体的 初次再结晶过程和退火孪晶现象；Allen 等人[14]运用统计学方法，量化晶粒各向异性的程度，然后通 过MC 方法模拟了单相材料的各向异性生长。  收稿日期： 20160620 收到修改稿日期：20161031 基金项目： 国家自然科学基金 。 第一作者： 王 岗 (1991 ), 男, 河南汤阴人, 硕士研究生。E-mail: wanggangty44@ 。 通讯作者： 林一歆 (1982 ), 女, 湖北武汉人, 副教授。E-mail: yixinlin@ 。 第6 期 《现代技术陶瓷》 Advanced Ceramics, 2016, 37 (6): 434441  435  [15] 国内学者对晶