标准CMOS工艺下高速集成大光敏面光电探测器芯片的研制.PDFVIP

· 光电子 激光 第 卷第 期 年 月 · ２６ ８ ２０１５ ８ Ｖｏｌ．２６Ｎｏ．８ Ａｕ ｕｓｔ２０１５ 　　　　　　 　 　 ｇ 　 　　　　　　 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＯ ｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌａｓｅｒ 　 　 ｐ ： ／ ＤＯＩ １０．１６１３６ ．ｏｅｌ．２０１５．０８．０２２８ ｊｊ 标准 工艺下高速集成大光敏面光电探测 ＣＭＯＳ 器芯片的研制 ＊ １ １ １ １ １ １ １ １ ， ， ， ， ， ， ， ， 史晓凤 王戴木 王 峰 赵正平 王诗兵 韩 波 牛 磊 宋有才 　 　 　 １ １ ２ ３ ， ， ， 李 军 王 静 程 翔 陈 朝 　 　 　 　 （ ， ， ； ， 阜阳师范学院计算机与信息工程学院 安徽阜阳 厦门大学物理与机电工程学院 福建厦门 １． ２３６０３７ ２． ； ， ） 厦门大学能源研究院 福建厦门 ３６１００５ ３． ３６１００５ ： （ ） （ ） （ ） 摘要 为提高大纤芯 １ ｍｍ 塑料 ＰＯＦ 光纤通信用的单片集成光接收机 ＯＥＩＣ 的速率并降低成 ， （ ） 、 。 ， 本 对 基大光敏面光电探测器 的结构 性能以及后续放大电路进行了研究 首先 基于标 Ｓｉ ＰＤ ＋ ／ ／ ， 准 ＣＭＯＳ工艺流程对 Ｎ Ｎ ｗｅｌｌ ｓｕｂＰＤ结构进行建模和优化设计 对其光谱响应曲线和频率 － － 　 ｐ ； ， ， 特性曲线进行了仿真 其次 建立 ＰＤ等效电路模型 结合设计的后续放大电路进行协同设计与仿 ； ， 真 最后 采用 ０．５ ｍ ＣＭＯＳ工艺对单个面积为 ２００ ｍ×２００ ｍ 的ＰＤ 以及后续放大电路单片集 μ 　 μ μ