用近贴式软射线光刻术研究光刻胶的曝光性能.PDFVIP

第 卷第 期 光 子 学 报 年 月 ! ∀# 用近贴式软 射线光刻术研究 光 曝光 能 刻胶的 性 郭玉彬 李福 田 九华 李 加 , 中国科学院长春光学精密机械研究所 用光学 国家重点实验室 长春 应 慎 微 杜涌兴 化工部无锡化工研究设计院 无锡 , , 至 了 了 摘 要 采用软 射线近贴式光刻米 对 光刻胶 的曝光性能进行 系统研 完 得 」 一些新的实验结果 关键词 软 射线 近贴式 光刻胶 光刻米 引 言 刻 采用软 波长 一 为曝 , 复制高 辨 细图形 的一 软 射线光 是 射线 作 光辐射源 来 分 率微 于它 长 比 长短 个 , 因 , 没 干 , 能量 比 种加工技术 由 的波 紫外波 数量级 此 几乎 有衍射的 扰 其软 射线 也 , 比 小 , 因此 以 得 辨 、 反差的 细图形 而且 由于 电子束小 其散射半径 电子束 得多 可 获 高分 率 高 微 软 射 , , , , 线 尘 的 曝