简单的、输出锁定的过流故障检测器应用设计.PDFVIP

/ 简单的、输出锁定的过流故障检测器应用设计 供稿：美信 摘要：本文介绍了一个简单、具有快速响应时间的过流故障检测器，用于低压系统的电路保 护。该方案与专用的热插拔控制器不同，专用的热插拔控制器跳出欠压状态后往往具有较长 的启动延时，而本文介绍的电路在输入电压超过 2.7V 后仅 150µs 后就可提供保护。此外， 在上电过程中，该电路会通过限制外部 p 沟道开关的栅极电压来限制浪涌电流。 概述 图 1 所示为完整的输出锁定过流故障检测器电路。上电后，比较器输出COUT 的电压接近 0V。 由Q2 和Q3 组成的同相缓冲器确保Q1 (具有非常低的导通阻抗、低门限电压的p沟道功率 MOSFET)的栅极完全导通。通过高边检流放大器测量流入负载中的电流，将检流电阻RSENSE两 端的小电压信号按比例放大、转换为以地为参考的电压，从OUT 引脚输出。该输出电压与负 载电流成正比，最后经过分压后送入带锁存的同相比较器的输入端。 当负载电流超出 R1 和 R2 设置的门限电压时，比较器翻转，输出电压被 R3 拉高。由于栅- 源电压跌落至栅极门限以下，p 沟道 MOSFET 关断。同相缓冲器Q2-Q3 确保 Q1 栅极具有足够 的充电电流和放电电流，实现快速切换。 图 1. 由集成的检流放大器、锁存比较器以及基准构成的快速响应、低压过流保护电路 / 元件选择 控制器 MAX4373是一款采用+3.3V供电，具有快速响应特性的电流锁定限流检测器。MAX4373 内部集 成了实现这一功能的所有需要的模块：包括高共模电压差分电压检测器、基准源以及带低电 平有效复位输出的锁存比较器。VCC上电后，典型启动延迟为 500µs，比较器传输延迟典型值 为 4µs。 检流电阻 合理选择的检流电阻以保证获得最佳的增益精度(典型值为 1%至 1.5%)，增益范围为+20V/V 和+50V/V (MAX4373的T 和 F 版本)时，额定电流下的压差应在 75mV 至 100mV 范围内。按照 下列公式计算检流电阻值以及该电阻消耗的功率： 输出动态范围也是一个重要的考虑因素。应将标称输出电压(相对于工作/检测电流)设为电 源电压的一半。需要注意的是：V 的最大值应比电源电压V 低 250mV。因此，V = +3.3V OUT CC CC 时，VOUT 的标称值应约为 1.4V。在本文给出的实例中，对于增益为+20V/V的MAX4373 (T版本)， 理想的检测电压为 70mV。 检流电流为 15A时，若RSENSE 4.6m ，VSENSE为 70mV，可选择的最接近的标准电阻为 4.7m 。 Tyco-Meggitt RL73H的容差为±1% (尾缀F)。 电流门限 完成检流放大器的设置后，接下来应设置比较器，以产生适当的切换输出电压用于断开串联 功率开关。通过电阻分压器将电流放大器输出端连接至比较器的正向输入端。比较器的正向 输入应超过内部设置的标称门限值 600mV (580mV至 618mV)，才能断开功率开关。根据下列 电压门限公式计算R1 和 R2 的阻值： 在检流放大器的标称输出电压条件下，流经 R1 和 R2 电流应大于 150nA，小于 500µA。在 600mV (最大值)的饱和电压下，比较器输出可吸入1mA 的电流。栅极上拉电阻R3 可由下列公式计 算： / 功率开关 选择外部 p 沟道 MOSFET 时的关键参数是峰值电流、导通电阻以及栅极电压，其次是其封装。 选择合适的导通电阻，使其在额定电流下的压降与电流检测电压相近。这样可使检测电阻和 MOS