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麻省理工学院电气工程与计算机科学戏6.014微电子器件与电路
麻省理工学院
电气工程与计算机科学戏
6.014微电子器件与电路
习题集7
布置：2003.10.17 截止：2003.10.24
阅读分配：
Lecture 14 (10/21/03)Chap. 7 (7.4.2);Chap. 8 (8.2.2,8.2.3);Chap. 10 (10.2.2,10.2.3)
Lecture 15 (10/23/03)Chap. 15 (15.1,15.2)
Lecture 16 (10/28/03)Chap. 15 (15.2.4)
Lecture 17 (10/30/03)Chap. 11 (11.1,11.2)
Lecture 18 (11/4/03)Chap. 11 (11.3toend)
题1－这个问题涉及评测MOS 管的缓变沟道模型参数。
16 317
16 3 17 3
(a) 做课本上的题10.2 ，但要用NA=1x 10 cm 代替10 cm 。c部分，在找到i 之前，
D
计算当V = 0时的α因数。
BS
17 3 7
(b) 计算MOS 管的a 因数在一个N ＝5 x 10 cm 的元件，氧化物厚度为 3nm（3x 10
AP
13 12
cm）。使EOX=3.5x10 F/cm ，Esi=10 F/cm。v 分别为0，1，2V
BS
题2－你想轻松与耗尽型，增强型，MOS 管，p ，n ，信道装置打交道。这两个题目让你
练习。两题均取α=1 。
(a) 做课本上题10.3 。题中有一个p 沟道MOS 管。
(b) 看课本351页的图11.12（c）。这个电路中的三极管是 N通道耗尽型晶体管。用图形标
题给出的元件参数计算并画出当v 在0与6V 之间时的i 曲线图（这是这个图形e 部
AB D
分的曲线c）。
题3－在这个问题的（a），（b）及（c）部分你将用到一个npn 的二极管，它的EM参数为
13 13
IES＝10 A ，I ＝2 x10 A ，αF＝0.98，αR＝0.49 。把这个三极管放到课本237页的图P8.8
CS
（a）的电路中。用一个可变电压源VIN代替电路中的1.1V电压源
(a) 计算三极管集电极的电压并画出曲线，并作为VIN的函数，输入电压，0≤VIN≤5V。这
个曲线称为这个电路的传输特性曲线（一个简易反相器或者共发射极放大器）。
不要试图用EM模型，而用正向工作区模型代替，并用一个在 0.6v处有个断点的分段
线性模型代替指数二极管。假定最小集电极－发射极电压为0.2v（这时BJT 饱和）。
(b) 当VIN＝1.0V，EM模型将对npn 三极管的基极－发射极电压做何预判，集电极上的电
压是多少？（用正向工作区模型，但跟（a）部分的情况不同，模型中采用指数二极管。你
会发现你必须反复进行才能得到解，得到一个精确到10mv 的解。）
(c) 取VIN＝2.0V，重复（b）。
2
(d) 用一个阈值电压为1V，K－因数为0.5mA/V 的N 通道增强型模型MOS 管代替电路中
的BJT。用讲座中提到的缓变沟道MOS 管模型；用α＝1 。
题4－用网络实验室做本题。你将观察比二极管更容易损坏的三极管，所以
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