ITO薄膜的微结构与其分形表征.pdfVIP

ITO 薄膜的微结构及其分形表征∗ 1 2 1 1 1 1 孙兆奇 ，吕建国 ，蔡琪 ，曹春斌 ，江锡顺 ，宋学萍 1. 安徽大学物理与材料科学学院，安徽合肥 （230039 ） 2. 合肥师范学院物理与电子工程系，安徽合肥 （230061 ） E-mail：szq@ 摘 要：采用直流磁控溅射法制备氧化铟锡（ITO ）薄膜，用XRD 、TEM 和分形理论测试 和分析了不同退火时间ITO 薄膜的微结构。XRD 分析表明：退火时间持续增加，薄膜的晶 格常数先减小后略有增大，这是薄膜中Sn4+取代Sn2+导致晶格常数减小和压应力不断释放导 致晶格常数增大共同作用的结果。分形研究表明：分形维数随退火时间的延长先减小后增大， 说明薄膜中平均颗粒尺寸先减小后增大，与XRD 的研究结果一致。 关键词：氧化铟锡（ITO ）薄膜，微结构，分形，XRD 中图分类号：O484 1. 引言 氧化铟锡（ITO ）薄膜具有可见光的高透过率（80% ）、红外的高反射率、低电阻率 -3 -4 （10 ~10 Ω·cm）和较宽的能隙（3.6~3.9eV ）等优良的光电特性，是一种性能优异的宽禁带 半导体功能薄膜，被广泛地应用于太阳能电池[1] [2] [3, 4] 、平板显示器 、液晶显示器 、电致变色 显示器、高层建筑物玻璃窗等光电子器件。对高性能的 ITO 薄膜材料的研究一直是材料科 学研究的重要前沿领域，受到国际上的高度重视；薄膜材料的性能与其微结构及组分密切相 关，同样，ITO 薄膜的光电特性强烈地依赖于薄膜的微结构、化学组分和杂质性质。薄膜的 生长过程通常远离平衡态，形成的随机性很大，具有复杂的非规则微结构，如何准确地表征 薄膜的非规则微结构一直是材料科学研究中的重要课题。 分形理论可用于对材料显微图像的定量表征，分形的一个重要特征是具有自相似结构， 即局部的形态和整体的形态相似；具有自相似结构的图像之分形，分形维数是描述分形结构 的重要几何参数。万明芳等[5]利用分形理论研究了纳米硅薄膜的表面形貌，得出分形维数D 与薄膜微结构参数之间的关系，发现薄膜在纳米尺度上的微观形貌呈现出分形特征。王渊等 [6]利用功率谱密度法分析铜钨薄膜生长表面形貌的分形维数；结果表明薄膜厚度增加，分形 维数增大，电阻率随维数的增大而升高。吴润等[7]用分形维数对纳米 ZnO 晶须的形貌进行 表征，发现其比表面积与分形维数呈指数关系。 本文利用XRD 、TEM 等测试技术，研究退火时间对直流磁控溅射薄膜微结构的影响， 并利用分形理论定量表征薄膜非规则微结构的变化规律。 2. 实验方法 采用直流溅射法制备厚度为 120nm 的氧化铟锡（ITO ）薄膜。氧化铟锡 （wt.90%In O +wt.10%SnO ）靶材的纯度为99.99%，基片为经丙酮溶液及超声波清洗的载 2 3 2 波片（10×10×2mm）和400 目覆碳Formvar 膜铜网，靶基距60mm，基片温度为室温，真空 室中本底真空为6.0×10-4Pa，Ar 气分压1.0Pa，溅射电压为DC320V ，溅射电流为0.14A，薄 膜的平均沉积速率约为 0.8nm/s 。在空气条件下对所制备的薄膜进行热处理，退火温度在 ∗ 本文得到国家自然科学基金 (批号、教育部博士点专项基金（批号：20060357003 ）、安徽省 科技厅重点项目(批号、安徽省人才专项基金(批号: 2004Z029)及安徽大学人才队伍建设基金 资助课题的资助。 -1-