XRD法计算4HSiC外延单晶中的位错密度.pdfVIP

第30卷，第7期 光谱学与光谱分析 201 and 0年7月 SpectroscopySpectralAnalysis July，2010 XRD法计算4H-SiC外延单晶中的位错密度 贾仁需，张玉明’，张义门，郭 辉 西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，陕西西安710071 摘要对用x射线衍射法计算4H—SiC外延中的位错密度方法进行了理论和实验研究。材料中的位错密度 大于106CITI--2会给材料位错密度的测试会带来一定的困难。首先从理论上分析了位错密度对X射线衍射结 果的影响，得出位错密度和峰宽FWHM展宽的关系。然后对4H—SiC样品进行了x射线三轴晶at20测试， 采用不同晶面衍射峰，计算出样品的位错密度。分析了外延中位错产生的原因，并提出了相应的解决办法。 关键词4H—SiC，同质外延生长，X射线衍射，位错密度 中图分类号：0657．3文献标识码：A 衬底生长前在1400℃高温，C3Hs和Hz混合气体的条件下 mL· 引言 进行表面刻蚀，消除抛光引起的表面划痕。硅烷(20 min-1)、丙烷(10mL·min-1)和氮气(20mL·min-1)由高 4H—SiC以其优异的物理特性和电学特性倍受世人的关纯氢气(80L·min-1)稀释并均匀混合进入密闭石英管反应 注。如高的热传导率，高的击穿电场，高的饱和漂移速度和 室，生长温度为1550℃，压强为104Pa。实验中样品的X Pro 高的抗辐照特性等。因此，其电子器件非常适合工作在高 射线双晶衍射(XRD)测试在型号为X’PertMPD上进 056 温，高频和大功率等特殊环境下[1’2]。体生长的单晶4H-SiC行，射线源为CuKa，射线波长|：I一0．154nlTl，电压40 kV，电流35 存在缺陷较多，严重影响器件的性能[3“]，必须在SiC表面 生长一层高质量的外延来满足器件制备的要求。由于外延和 at20方式扫描。 衬底间存在晶格失配和晶向偏离，导致材料中存在密度比较 高的位错，大大降低了材料的迁移率，对材料的电学特性， 2结果和分析 特别是光电特性具有较大的影响[5“]。因此，确定材料的位 错密度对于材料的生长具有重要的意义。 如果材料中的位错密度大于106cn]-2，就很难用传统的如图1和图2所示。其X射线Bragg衍射峰的半高宽分别为 20．52 腐蚀坑法进行测量；X射线形貌相受到其分辨率(约2 arcsec和36．72 gm)的 限制而无能为力。TEM(透射电子显微镜)的观察又具有很 大的区域局限性。本文提出一种位错密度的计算方法，根据 峰的本征半高宽岛很小，而实际测试到的半高宽要比本征 高分辨X射线衍射峰半高宽的变化，可以计算出SiC外延单半高宽大很多。影响其半高宽展宽的因素有很多，入射束发 晶中的位错密度。 散度角、晶体中存在的缺陷屉和外延晶片翘曲B等。 实际测量的半高宽可以表达为这些因素的平方和[7] 1实验