第四章常用传感器原理及应用技术总结.ppt

关于施密特触发器 门电路组成的施密特触发器 z x y Fx Fx + - z x y Fy Fy + - z x y Fy Fy - + 由纵向压电效应产生的电荷量q为： 作用力 纵向压电常数 石英晶体：压电常数比较低，d11=2.31×10-12C/N；良好的机械强度和时间及温度稳定性。适用于精确度和稳定度要求特别高的场合。 铌酸锂晶体：是人工拉制晶体。居里点高(12000C)，适于高温传感器；缺点：质地脆,抗冲击性差,价格较贵 2、压电陶瓷 压电陶瓷——是一种经极化处理后的人工多晶体。如钛酸钡、锆钛酸钡。压电陶瓷特点：压电系数大，灵敏度高，价格低廉，居里点较低。 居里点或居里温度：指材料可以在铁磁体和顺磁体之间改变的温度。低于居里点温度时该物质成为铁磁体，此时和材料有关的磁场很难改变。当高于居里点温度，该物质成为顺磁体，磁体的磁场很容易随周围磁场的改变而改变。这时的磁敏感度约为10-6。 3、新型压电材料 有些材料，如硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)、硫化钙(CaS)、砷化镓(GaAs)等，既具有半导体特性，又有压电特性。因此，既可利用压电性能制作敏感器件，又可利用半导体特性制成电路器件，研制成新型集成压电传感器。 蒸镀金属形成电极 晶片两表面相当于电容器的两个极板 F + + + + + + + + - - - - - - - 两极板之间的压电材料等效于电介质 压电晶片相当于一只平行极板电容器，其电容量为： 压电元件可等效为一个具有一定电容的电荷源。电容器上的开路电压U0为： ★当压电式传感器接入测量电路，连接电缆的寄生电容形成传感器的并联寄生电容Cc，传感器中的漏电阻和后继电路的输入阻抗形成泄漏电阻R0，等效电路为： R0 Cc q Ca ★ 由于后继电路的输入阻抗不可能为无穷大，而且压电元件本身也存在漏电阻，极板上的电荷由于放电而无法保持不变，从而造成测量误差。因此，不宜利用压电式传感器测量静态或准静态信号，而适宜做动态测量。 + 并联：适于测缓变信号和以电荷为输出量的场合 + 串联：适于测高频信号和以电压为输出量的场合 ★ 压电晶片有方形、圆形、圆环形等各种，而且往往是两片或多片进行串联或并联。 四、测量电路 输出电荷量很小，且压电元件本身的内阻很大 压电式传感器 高输入阻抗 前置 放大器 输出电压或电荷 电压 放大器 电荷 放大器 可采用比例放大器。电路简单，但输出受到连接电缆对地电容的影响 目前常用 Uy Ui 传感器电容 电缆电容 放大器输入电容 电荷放大器：高增益带电容反馈的运算放大器 若电荷放大器的开环增益足够大，放大器输出电压： 可见，在一定条件下，输出电压与传感器的电荷量成正比，且与电缆电容无关。 压电式传感器动态特性好、体积小、重量轻，常用来测量动态力、压力，特别是测量振动加速度的惯性拾振器大多采用压电式传感器。 加速度计 产品： 压力变送器 力传感器 第六节 磁敏传感器 一、霍尔元件 霍尔效应——将导电体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，如果在a、b端通以电流I，则在c、d端就会出现电位差。 霍尔效应原理：在磁感强度为B的磁场中，电荷为q、运动速度为v的带电粒子，所受的磁场力——洛仑兹力，为 霍尔电势UH为： ★ 霍尔元件一般由锗(Ge)、锑化铟(InSb)等半导体材料制成。霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成。将霍尔片、稳压电源、温度补偿电路和信号处理电路集成在同一个芯片上，即构成线性霍尔传感器。 ★ 霍尔传感器有单端输出和双端输出(差动输出)两种电路。 ★ 开关型霍尔传感器：由霍尔元件、放大器、施密特整形电路和集电极开路输出等部分组成。 施密特触发器的工作特点： ① 施密特触发器属于电平触发器件，适用于缓慢变化的信号，当输入信号达到某一定电压值时，输出电压会发生突变。 ② 电路有两个阈值电压。 输入信号增加和减少时，电路的阈值电压不同，电路具有如下图所示的传输特性 。 VT+ VT_ VT+ VT_ vo vI vo vI vI1 霍尔传感器应用 （1）直流无刷电机的位置传感器，检测转子位置，以 实现换向 霍尔元件H2面向转子N极方向 H2导通为低电平 功率管VT2导通 绕组W2通过电流IW2 S 转子顺时针旋转 （2）测转角 电感式传感器分类 第三节 电感式传感器 优点：灵敏度高（能测0.1μm的位移）、线性较好(非线性误差0.1%)、输出功率大等。 缺点：频率响应较低；测量范围越大，分辨率越低。 自感式 互感式 可变磁阻式 涡流式 由于δ很小，可认为气隙磁场是均匀的，若忽略磁路的铁损，则总磁阻为： 变气隙式自感传感器由线圈、铁心和衔铁