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第 2 期
真 空 VACUUM
2003 年 3 月 11
电子束蒸发与磁控溅射镀铝的性能分析研究
陈荣发
(扬州大学机械工程学院, 江苏 扬州 225009)
摘 要: 通过对半导体器件电极制备的两种方法即电子束蒸发与磁控溅射镀铝的比较, 详细分析了两种方法
的膜厚控制、附着力、致密性、电导率和折射率等重要性能指标, 测试结果分析表明磁控溅射铝膜的综合性能
优于电子束蒸发。
关键词: 电子束蒸发; 磁控溅射; 铝膜; 性能分析
中图分类号: TB 43 文献标识码: A 文章编号:(2003)
Ana lysis and study on the capability of a lum in ium f ilm s
prepared by electron beam vapour deposition and magnetron sputter ing
CH EN Rong fa
(T heM echan ica l E ng ineering Colleg e, Y ang z hou U n iversity , Y ang z hou 225009, Ch ina)
Abstract: T he paper compares tw o m ethods of po le p reparation in sem iconducto r p roductions w h ich are alum inium film s p re
pared by electron beam vapour depo sition and m agnetron sputter depo sition, and analyzes m ainly the impo rtant capability data
such as contro l of film th ickness, adhesion fo rce, conductance and refractive index and so on. T he results indicate that the
synthesis capability of m agnetron sputtered alum inium film s is superio r to that of electron beam vapour depo sition.
: ; ; ;
Key words electron beam vapou r depo sition m agnetron spu ttering alum in ium film s capab ility analysis
随着科学技术的不断发展, 半导体器件的种类 选用 CHA 600 型电子束蒸发台。它主要由真
不断增多。原始点接触晶体管、合金晶体管、合金扩 空镀膜室、真空系统和真空测量仪器三部分构成。真
散晶体管、台面晶体管、硅平面晶体管、 集成电 空镀膜室主要由钟罩、球面行星转动基片架、基片烘
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路和N 沟硅栅平面M O S 集成电路等, 其制造工艺 烤装置、磁偏转电子枪、蒸发档板及加热装置等构件
及工艺之间的各道工序也有所差别。在硅平面
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