第三章光端机技术总结.ppt

第三章 光源的调制 半导体激器 3.1.1 基础知识 3.1.2 激光器的一般工作原理 3.1.3.半导体激光器 3.1.3.半导体激光器 半导体激光器(LD)工作原理和基本结构 基本结构包括:工作物质,揩振腔和泵浦源.其中工作物质和泵浦源是实现光的自发发射、受激吸收和受激发射的最基本条件。 自发发射：大量处于高能级的粒子，各自分别发射一列一列频率为?=(E2 -E1) /h的光波，但各列光波之间没有固定的相位关系，可以有不同的偏振方向，沿所有可能的方向传播。各光子彼此无关。 受激发射：处于高能级E2的粒子受到光子能量为?的光照射时，粒子会由于这种入射光的刺激而发射出与入射光一模一样的光子，并跃迁到低能级E1上。有相同的偏振方向和传播方向。 自发发射和受激发射的特点 自发发射的同时总伴有受激发射发生。 在热平衡情况下，自发发射占绝对优势。 当外界给系统提供能量时，如采用光照（即光泵）或电流注入（即电泵），打破热平衡状态，大量粒子处于高能级，即粒子数反转后，在发光束方向上的受激发射比自发发射的强度大几个数量级。 总结激光发射的首要条件： 工作物质（即能实现粒子跃迁的晶体材料，如GaAs和InGaAsP） 外界供给能量?满足粒子数反转（常采用电流注入法） F-P谐振腔 只有增益介质而无光学反馈装置，便不能形成激光。将已实现粒子数反转分布的系统置于严格平行的一对反射镜之间便形成F-P谐振腔。光在两个反射镜之间往返多次过程中，得到放大。 ２.1.2 半导体激光器 ２.1.2 半导体激光器 ２.1.2 半导体激光器 ２.1.2 半导体激光器 ２.1.2 半导体激光器 转换效率和光功率特性 下图是典型激光器的光功率特性曲线。 当IIth时激光器发出的是自发辐射光；当IIth时，发出的是受激辐射光，光功率随 驱动电流的增加而增加 温度特性 激光器输出光功率随温度而变化有两个原因:一是激光器的阈值电流Ith随温度升高而增大,二是外微分子量子效率ηd随温度升高而减小.温度升高时, Ith增大, ηd减小,输出光功率明显下降,达到一定温度时,激光器就不激射了. 阈值电流随温度呈指数变化: Ith=I0 exp(T/T0) ２.1.3 发光二极管 ２.1.3 发光二极管 ２.1.3 发光二极管 3.1.3 发光二极管 ２.1.3 发光二极管 ２.1.4 半导体光源的应用 LED光源的特点 电压：LED使用低压电源，供电电压在6-24V之间，根据产品不同而异，所以它是一个比使用高压电源更安全的电源，特别适用于公共场所。 效能：消耗能量较同光效的白炽灯减少80% 适用性：很小，每个单元LED小片是3-5mm的正方形，所以可以制备成各种形状的器件，并且适合于易变的环境 稳定性：10万小时，光衰为初始的50% 响应时间：其白炽灯的响应时间为毫秒级，LED灯的响应时间为纳秒级 对环境污染：无有害金属汞 颜色：改变电流可以变色，发光二极管方便地通过化学修饰方法，调整材料的能带结构和带隙，实现红黄绿兰橙多色发光。如小电流时为红色的LED，随着电流的增加，可以依次变为橙色，黄色，最后为绿色 价格：LED的价格比较昂贵，较之于白炽灯，几只LED的价格就可以与一只白炽灯的价格相当，而通常每组信号灯需由上300～500只二极管构成。 3.2光源的调制 图3-21是一个简单的模拟 信号内调制电路。图中VT1是提 供LED管注入电流的晶体管，当 信号从A点输入后，晶体管放大 器集电极电流就跟随模拟量而 变，并且发光二极管LED的注入 电流也跟随模拟信号变化。于是 LED的输出光功率就跟随模拟量 变化，就这样实现了对光源的内 调制。 2数字信号的内调制 当光纤通信系统所传的信号是一系列的“0”“1”数字信号时，用 LED管进行数字信号直接调制的原理图如图3-23(a)所示。用LED 管进行数字信号直接调制时，如图3-23 (b)所示。 3.2.1 光源的内调制 3.2.2光源的外调制 半导体激光器原理 半导体激光器（LD）是有谐振腔、泵浦源、激光介质。基本原理是受激辐射。工作原理是通过泵浦源的激励，实现半导体激光介质的粒子数反转。在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡、反馈、产生光的辐射放大，输出激光。 　LED是有泵浦源、激光介质。基本原理是自发辐射。工作原理是通过泵浦源的激励，实现半导体激光介质的粒子数反转。在能带间跃迁发光。 LD和LED区别 （1）发光机理上：LD利用的PN结能带间的受激辐射，LED利用的PN结能带间的自发辐射。 （2）结构