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半导体二极管结构 正极引线 触丝 N型锗 支架 外壳 负极引线 PN结 正极引线 二氧化硅保护层 P型区 负极引线 面接触型二极管 N型硅 PN结 二极管的符号 正极 负极 三极管 四、三极管 1晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。 2硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。3晶体三极管的电流放大作用4晶体三极管的三种工作状态： 截止状态、放大状态、饱和导通状态 三极管分类 三极管 NPN 型 PNP型 B C B C E E 1. NPN 型三极管 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 N N 集电极C 基极B 发射极E 三极管的结构 分类和符号 P E C B 符号 第1章 1.5 N型硅 二氧化硅保护膜 B E C N+ P型硅 1.1 半导体三极管的结构 （a） 平面型 N型锗 E C B 铟球 铟球 P P+ （b）合金型 半导体三极管 第1章 1.5 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 　 C B E N 集电极C 发射极E 基极B N P P N 2. PNP型三极管 第1章 1.5 发射区向基区 扩散电子 IE IB 电子在基区 扩散与复合 集电区收集电子 电子流向电源正极形成 IC IC N P N 电源负极向发射 区补充电子形成 发射极电流IE 三极管的电流控制原理 电源正极拉走电 子，补充被复 合的空穴，形 成 IB 第1章 1.5 VCC RC VBB RB C B E EC RC IC UCE C E B UBE 共发射极接法放大电路 1.2 三极管的电流控制作用 三极管具有电流控 制作用的外部条件 : （1）发射结正向偏置 （加正向电压）； （2）集电结反向偏置 （加反向电压）。 第1章 1.5 EB RB IB EC RC IC UCE C E B UBE 共发射极接法放大电路 1.3 三极管的电流控制作用 三极管具有电流控 制作用的外部条件 : （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于PNP型三极管应满足: 输出 回路 输入 回路 公 共 端 第1章 1.5 EB RB IB IE 即 VC VB VE UBC 0 UBE 0 半导体三极管 五、MOS场效应管 一、MOS场效应管MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感应措施。 SiO2 结构示意图 5.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管 P型硅衬底 源极S 栅极G 漏极D 五.一 绝缘栅场效应管 衬底引线B N+ N+ D B S G 符号 1. 结构和符号 第1章 1.6 SiO2 结构示意图 P型硅衬底 耗尽层 衬底引线B N+ N+ S G D UDS ID = 0 D与S之间是两个 PN结反向串联， 无论D与S之间加 什么极性的电压， 漏极电流均接近 于零。 2. 工作原理 (1) UGS =0 第1章 1.6 P型硅衬底 N + + B S G D 。 耗尽层 ID = 0 (2) 0 UGS UGS(th) 由柵极指向衬底方 向的电场使空穴向 下移动,电子向上移 动,在P 型硅衬底的 上表面形成耗尽层。 仍然没有漏极电流。 UGS N+ N+ 第1章 1.6 UDS P型硅衬底 N + + B S G D 。 UDS 耗尽层 ID 栅极下P型半导 体表面形成N型导电 沟道，当D、S加上 正向电压后可产生 漏极电流ID 。 (3) UGS UGS(th) N型导电沟道 N+ N+ 第1章 1.6 UGS 结构示意图 5.2 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 P型硅衬底 源极S 漏极D 栅极G 衬底引线B 耗尽层 1. 结构特点和工作原理 N+ N+ 正离子 N型沟道 SiO2 D B S G 符号 制造时,在二氧化硅绝缘层中掺入大量的正离子。 第1章 1.6 N型硅衬底 N + + B S G D 。