推荐国家自然科学奖项目公示项目名称基于碳基纳米材料的电.PDFVIP

推荐国家自然科学奖项目公示 项目名称 基于碳基纳米材料的电子器件 推荐单位 教育部 推荐单位意见： 我单位认真审阅了该项目推荐书及附件材料，确认全部材料真实有效，相关栏目 均符合国家科学技术奖励工作办公室的填写要求。 该项目瞄准碳基电子学科发展的需要和前沿,在接触电极材料、高k介质材料和器 件结构优化等研究中取得了系列突破,发展了一种全新的碳纳米管集成电路的方法。这 种方法完全放弃了传统半导体中通过掺杂来控制器件电学性能的核心技术理念,提出 通过控制电极材料来达到选择性地向沟道注入电子或空穴,进而实现控制晶体管极性 的理念。项目研究成果对碳基电子学的发展产生了深远的影响，8 篇发表在《自然光 子学》、《自然通讯等杂志上的代表性论文被《自然》、《科学》、《自然纳米技术》等顶 级期刊上发表的SCI论文他引500余次，3篇论文入选ESI高引用论文，多项工作被写 入国际半导体路线图报告。 对照国家自然科学奖授奖条件，推荐该项目申报2016年度国家自然科学奖二等奖。 项目简介： 以碳纳米管和石墨烯为标志的纳米碳材料被公认为是未来最重要的信息材料之 一。项目针对高性能碳基电子学中的一系列重要问题进行了系统深入的研究，取得了 如下成果： 1、碳纳米管的理想 n 型欧姆接触和弹道场效应晶体管 高质量电极和半导体材料的欧姆接触是实现高性能电子器件的关键。项目发展了 一套半导体纳米材料电学性能和接触研究的定量方法，目前已被国际几十个研究组采 用。对于碳纳米管，发现金属 Sc 和 Y 可以和碳纳米管的导带形成理想欧姆接触，在此 基础上首次制备出性能达到理想弹道极限的 n 型碳纳米管晶体管，钪成为 ITRS 推荐的 首选 n 型欧姆电极材料。 2、碳基纳米器件的理想高κ栅介质 前期碳基电子器件的发展突显了碳纳米材料和传统高κ栅介质（例如 HfO ）结合 2 的困难，这些困难制约了碳基电子学的发展。本项目发展了在石墨烯或者碳纳米管上 直接生长高质量氧化钇栅介质薄膜的方法，获得了等效氧化层厚度为 1.5 纳米的介质 层，其电容逼近碳纳米材料的量子电容，创造的栅电容记录保持至今，成为 ITRS 推荐 的唯一碳基器件栅介质材料，已被法国、美国等研究组用于构建包括高性能柔性电子 器件在内的纳电子器件 3、高性能碳纳米管 CMOS 器件和集成电路的无掺杂制备技术 传统半导体材料的电学性能是通过掺杂来控制的，但是对碳纳米管进行有效的可 控掺杂是极其困难的。本项目提出可以通过控制电极材料来选择性地向碳纳米管注入 电子或空穴，进而实现控制晶体管极性的理念，完全放弃了传统半导体技术中通过掺 杂来控制器件电学性能的最核心的技术基础。在实验室首次实现了碳纳米管无掺杂高 性能完美对称的 CMOS 电路的制备，并用比 CMOS 逻辑效率更高的传输晶体管逻辑设 计和实现了纳米运算器所需的全部电路，包括目前逻辑电路复杂度最高的纳米全加器， 而且将电路的驱动电压降至 0.4V 的水平。这种低功耗技术在最近发表在《自然》杂志 的题为碳纳米管晶体管之路的评论文章中，被视为是追求基于碳纳米管晶体管计算技 术的最重要的推动力之一。 4. 高性能碳纳米管光电器件与集成 本项目通过选取非对称接触电极，在碳纳米管上构建成功了有效的 pn 结，在此基 础上，进一步通过在碳纳米管上引入虚电极，创造性地构建出了碳纳米管级联电池， 在一根 10 微米长的碳纳米管上实现了光电压的 5 倍增，获得了超过 1V 的光电压。表 明在碳管上仅需通过选择电极组合即可实现完美的电子和光电子器件集成，有望发展 成一整套具有自主知识产权的碳基纳米集成电路制备技术。相关工作入选 2011 年度中 国科学十大进展。 项目历时十余年，发表重要 SCI 论文 50 余篇。8 篇发表在《自然光子学》、《自然通讯》 等杂志上的代表性论文被《自然》、《科学》、《自然纳米技术》等顶级期刊上发表的SCI 论文他引 540 次，其中 3 篇入选 Thompson ESI 相关领域近十年高被引用论文,相关成 果被 12 次写入国际半导体技术路线图（ITRS ），入选2011 年“ 中国科学十大进展”，获 2013 年高校自然科学一等奖。 客观评价： 本项目提交的 8 篇代表性论文经北京大学图书馆（教育