集成电路测试技术资料.ppt

基极电阻的不良影响: ①影响着晶体管的输入阻抗; ②产生电压反馈; ③引起发射极电流集边或集中效应; ④影响晶体管的功率增益特性; ⑤影响晶体管的频率特性; ⑥影响晶体管的电流容量 ⑦影响晶体管的噪声特性、开关特性等. 因此, 基极电阻是表征晶体管好坏的一个重要参数, 必须在设计和制造时尽量减小. 基极电流IB的特点~ 基极电流IB是从两边流向发射极中央的横向电流 (IE是纵向电流), 即与结平面平行; IB是多子电流(空穴电流); IB在发射区下方是不均匀的 (在流向发射极中央时不断减小~由于向发射区的反注入 和与电子的复合), 则相应的基极电阻是扩展的电阻. 基极电阻rb的计算 (以双基极条结构为例): 基极电阻rb可分为3部分: 内基极电阻 (电流不均匀, 为扩展电阻 rbb’ ), 外基极电阻 (电流均匀, 为欧姆电阻 RDB ) 和B电极接触下方的基极电阻 (电流均匀, 为欧姆电 阻R’ ). rbb’ = ( 1 / 2 ) ( ρ1 / 3W ) ( h / l ) ; RDB = ( ρ2 / xjc ) ( d / l ) ;