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通道有效迁移率测量技术 氧化层击穿监测 PCM 器件 BTI 测试 极低频 C-V 实验室自动化 更自信的测 试 了解如何解决当今半导体器件特性分析中的诸多挑战 通道有效迁移率测量技术 2 让您的实验室测量具备晶圆级自动化水平 12 高置信度氧化层击穿监测 4 以交钥匙系统实现实验室自动化、晶圆级可靠性、以及更多 13 对先进的相变存储器件进行特性分析 6 高速度、高完整性开关 14 对CMOS晶体管的偏压温度不稳定性（BTI）的建模和监测 8 开关和多通道测量 15 用极低频C-V测量对器件进行特性分析 10 联系我们 16 内含：即时在线访问应用指南、网络研讨会、演示以及更多信息。 通道有效迁移率测量技术 氧化层击穿监测 PCM 器件 BTI 测试 极低频C-V 实验室自动化 使用超快速单脉冲（UFSP）技术 实现精确的通道有效迁移率分析 通道有效迁移率（μ ）通过载流子速度和驱动电流影响MOSFET （金氧半场效晶体管）的 eff 性能。它是互补金属氧化物半导体（CMOS ）技术的关键参数之一。它广泛用作各种技术开发 和材料选择中差异比较的基准。迁移率也是器件建模的一个基本参数。在器件缩减到纳米尺寸 和新的电介质材料引入的同时，迁移率的常规测量技术却不能解决这些问题，导致显著的测量 误差。于是，超快速单脉冲技术（UFSP）被开发出来，以克服这些缺点。了解更多信息。 想了解更多信息吗？ UFSP技术的工作原理图 下载我们的免费在线应用指南， 学习如何使用UFSP技术。 获取关于您的应用的建议。 对于带有HfO2/SiON电介质且具有相当快速的捕获能力 将问题发送给我们或加入我们的应用论坛的讨论。 （fast trapping ）的器件，由UFSP技术和常规技术分别 测得的迁移率的比较。 了解如何解决当今半导体器件特性分析中的诸多挑战 更自信的测试 通道有效迁移率测量技术 氧化层击穿监测 PCM 器件 BTI 测试 极低频C-V 实验室的自动化 为您解决所有问题，实现精确、 快捷、轻松的迁移率评估 　　通道载流子迁移率是材料选择和工艺开发的一个关键参数。但是，除了过程复杂外，常规技术 还带来一些困难，例如，速度慢，容易受快速捕获、Vd依赖性、电缆变动的影响，而且对栅极漏电 敏感。但是，实现吉时利4200-SCS型半导体参数测试仪、两个4225-PMU型超快I-V模块和四个4225 -RPM型远程放大器/开关单元的组合后，超快I-V源输出和测量就像用常规的高分辨率的源测量单元 （SMU ）仪器进行直流测量一样简单。这一完整的解决方案提供了强大的、精确的、便捷的迁移率 评估所需要的一切，也可以作为CMOS技术的工艺开发、材料选择、器件建模的工具。 使用吉时利仪器的UFSP技术配置的图片 想了解更多信息吗？