基区表面势对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤的影响 - 强激光与粒子束.PDF

第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 , 27 11 Vol.27 No.11 年 月 , 2015 11 HIGH POWERLASERANDPARTICLEBEAMS Nov. 2015 基区表面势对栅控横向PNP晶体管 中子位移损伤的影响* , , , , , , , , 王晨辉 陈 伟 刘 岩 李 斌 杨善潮 金晓明 白小燕 齐 超 林东生 ( ( ), ) 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 西北核技术研究所 西安 710024 : , 摘 要 通过在常规横向 晶体管基区表面氧化层上淀积栅电极 制作了可以利用栅极偏置调制基 PNP 。 区表面势的栅控横向 晶体管 对无栅极偏置电压和偏置电压分别为 和 的栅控横向 晶 PNP -10V 10V PNP 12 12 12 12 13 -2 , , , , , , 体管 在西安脉冲反应堆上开展注量为 2×10 4×10 6×10 8×10 1×10 cm 的中子辐照实验 研 。 , 究基区表面势的增加和降低对栅控横向PNP晶体管中子位移损伤退化特性的影响 研究结果表明 基区表面 , 势的增加引起栅控横向PNP晶体管共射极电流增益倒数的变化量随辐照中子注量的退化速率增加 基区表面 势的降低对位移损伤退化速率无明显影响。 : ; ; 关键词 基区表面势 栅控横向 晶体管 中子位移损伤 PNP 中图分类号: ; 文献标志码: : / TN322 TN43 A doi10.11884HPLPB201527.114002 , 双极器件在中子和 混合场中会同时产生位移效应和总剂量效应 辐射效应考核中通常假设这两种效应 γ , , , 是相互独立的 但近年来有相关文献报道 位移效应和总剂量效应之间存在协合作用 由此引起的退化并不等