复旦大学工程硕士《半导体器件概论》考试大纲-复旦大学微电子学院.DOC

复旦大学工程硕士 《半导体器件概论》考试大纲 一、考试方法和考试时间 考试采用闭卷、笔试形式，考试时间为180分钟。 二、考试内容和考试要求 （半导体物理和器件部分） 基本参考书： 《半导体器件物理》，孟庆巨等编著，科学出版社2005出版 其他参考书： 1、《半导体物理学》 刘恩科 国防工业出版社 （1994） 2、R.M.Warner,B.L.Grung Semiconductor-Device Electronics (《半导体器件电子学》吕长志等译，电子工业出版社2005年2月出版) 3、Robert F. Pierret Semiconductor Device Fundamental (《半导体器件基础》黄 如等译，电子工业出版社2004年11月出版) 考试对象的要求： 在了解半导体导电机制和其中载流子的性质和行为的基础上，初步了解硅双极型晶体管和MOS场效应晶体管的基本结构、工作原理，初步了解器件电参数和几何结构及半导体材料参数之间的关系； 要求：了解基本术语概念;熟悉公式；掌握公式的内容和约束条件。 一、了解半导体导电机制和其中载流子的性质和行为： 了解半导体和绝缘体、金属的能带、导电机制有哪些差别，同时知道绝缘体和半导体之间在特定条件下又有可能转化； 了解晶体中描述电子的共有化状态和局域状态的基本参数； 了解‘空穴’导电的本质； 了解控制半导体导电类型和导电能力的原理； 了解半导体中非平衡载流子的漂移、扩散、复合规律。 二、初步了解硅PN结二极管、双极型晶体管和MOS场效应晶体管的基本结构、及工作原理： 初步了解PN结的形成，主要特性及应用； 初步了解双极型晶体管和MOS场效应晶体管中载流子的运动情况和器件的工作原理； 初步了解双极型晶体管和MOS场效应晶体管的输入输出特性；初步了解两者特性的差异； 初步了解有各种非理想因素对PN结二极管、双极型晶体管和MOS场效应晶体管特性的影响。 三、初步了解器件电参数和几何结构及半导体材料参数之间的关系： 初步了解双极型晶体管的电特性和器件结构及半导体材料参数（掺杂情况、尺寸大小等不同半导体材料等）的关系； 初步了解MOS场效应晶体管的电特性和器件结构及半导体材料参数的关系； 初步了解器件各种电参数对结构参数要求之间的矛盾。 内容提要： 第一章 晶体中电子的能量状态 1．硅和砷化镓的晶体结构 2．晶向指数和晶面指数 3．自由电子的E~k关系 4．一维矩形势阱中电子的E~k关系 5．晶体中共有化电子的运动 6．晶体中的载流子：电子和空穴 7．硅和砷化镓的能带图 8．半导体中的局域能级 第二章 平衡载流子的统计分布 带中电子的状态密度 2．费米分布函数 3．本征半导体中电子、空穴的浓度 4．单一浅能级低掺杂半导体中电子和空穴的浓度 5．金属、半导体和绝缘体 6．杂质的补偿效应 7．重掺杂效应 第三章 电导率和迁移率 载流子的散射 2．电导率和迁移率及其随温度的变化 3．强电场效应 第四章 非平衡载流子 费米能级 2．非平衡载流子的寿命 非平衡载流子的复合机制 复合中心和陷阱中心 非平衡载流子的扩散和漂移 6．爱因斯坦关系 7．电中性条件 8．连续性方程及某些情况下的解 第五章 结 1．平衡态PN结 2．理想PN结的伏安特性和非理想因素的影响 3．PN结的电容 4．PN结的击穿特性 5．金-半肖特基接触和欧姆接触 6．异质结 7．同质PN结二极管的开关特性 第六章 MOS电容 1．氧化硅和硅的界面 2．MOS电容中的电荷成分 3．理想的MOS电容的C~V关系 4．实际MOS电容的C~V关系及其应用 第七章 双极型晶体管 1．晶体管中电荷的流动及其放大原理 2．输出特性 3．Early效应（有效基区宽度调变效应） 4．Kirk效应（有效基区展宽效应） 5．高频特性 6．开关特性 第八章MOSFET 1．MOSFET的类型 2．阈值电压的公式及调整方法 3．直流特性 4．跨导 5．击穿特性 6．高频特性 7．开关特性 8．CMOS 9．二级效应（亚阈值效应－漏电流；沟道长度调制效应；小尺寸效应；表面迁移率和漏端速度饱和效应；CMOS电路的闭锁效应） （工艺部分） 基本参考书： 《硅集成电路工艺基础》 关旭东编著， 北京大学出版社 基本要求： 了解从晶体管到硅集成电路的发展过程； 熟悉硅平面工艺的基本原理； 掌握各类集成电路的结构特点和工艺流程； 1 从晶体管到硅集成电路 1.1 从锗点接触晶体管的发明到第一块锗集成电路的问世 1.2 半导体材料从锗到硅的演变 1.3 现代集成电路技术的发展基础 1.4 硅外延平面晶体管的结构和制造工艺 1.5 双极型硅集成电路的基本结构和工艺特点 1.5.1 集成电路中的隐埋层 1.5.2 集成电路中的PN结隔离 1.5.3双极型硅集