电子技术第章.pptVIP

10.3 特殊二极管 10.3 特殊二极管 10.3 特殊二极管 10.3 特殊二极管 10.3 特殊二极管 10.3 特殊二极管 10.4 半导体三极管 10.4 半导体三极管 10.4 半导体三极管 10.4 半导体三极管 10.4 半导体三极管 10.4 半导体三极管 10.4 半导体三极管 10.4 半导体三极管 10.4 半导体三极管 10.4 半导体三极管 10.4 半导体三极管 10.4 半导体三极管 10.5 场效应晶体管 10.5 场效应晶体管 10.5 场效应晶体管 10.5 场效应晶体管 10.5 场效应晶体管 10.5 场效应晶体管 10.5 场效应晶体管 作 业 10.4.2 载流子分配及电流放大原理 共射极放大电路 放大条件 内部条件 ①发射区掺杂浓度最高 ②基区很薄 ③集电结面积大 外部条件 ①发射结结正偏 ②集电结反偏 输入 输出 4.05 3.18 2.36 1.54 0.72 0.01 0 IE 3.95 3.10 2.30 1.50 0.70 0.01 0.001 IC 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0 -0.001 IB 测量结果 各极电流（mA） 实验数据分析： ① IE = IC + IB ② ③ 半导体三极管内部载流子的运动： 半导体三极管内部载流子运动示意图 三个结论： (1)发射极电流IE、基极电流IB、集电极电流IC的关系是IE = IB + IC； 载流子运动过程： ①发射结正偏：发射区发射电子到基区 ②少量电子在基区与空穴复合，大部分运动到集电结； ③集电结反偏：集电区收集电子。 (2)集电极电流IC、基极电流IB的关系是IC =βIB ； (3)晶体管的电流放大作用，实质上为晶体管的控制作用，即较小电流IB控制大电流IC。 10.4.3 特性曲线 1．输入特性曲线 输入特性曲线是指当集-射极电压UCE为常数时，输入回路（基极回路）中基极电流IB与基-射极电压UBE之间的关系曲线，即 输入特性曲线 特点： ① UCE≥1曲线重合； ② 当UBE小于死区电压时，IB=0，三极管截止；当UBE大于死区电压时，三极管导通，IB随UBE快速增大。发射结导通电压为 硅管： 锗管： 测试电路 2．输出特性曲线 输出特性曲线是指当基极电流IB为常数时，输出电路（集电极回路）中集电极电流IC与集-射极电压UCE之间的关系曲线，即 测试电路 输出特性曲线 特点： ① 当IB一定时，在UCE = 0～1V区间，随着UCE的增大，IC线性增加。当UCE超过1V后，当UCE增高时，IC几乎不变，即具有恒流特性； ② 当IB增大时，IC线性增大，远大于IB，且IC受IB控制，这就是晶体管的电流放大作用的表现。 饱和区：IB增加，IC小于 IB， IC ≠ IB， 晶体管失去电流放大作用。饱和时，电压∣UCE∣=0.2～0.3V（锗管为0.1～0.2V），数值很小，近似为零，晶体管的C、E极之间相当于一个闭合的开关 。 输出特性曲线 ③ 通常把晶体管的输出特性曲线分为三个工作区： 输出特性曲线的三个工作区 放大区：IC与IB基本上成正比关系，即 IC= IB，发射结为正偏，集电结为反偏； 截止区：IB=0，即 IC=ICEO≈0，发射结为反偏，集电结为反偏；晶体管的C、E极之间相当于一个断开的开关； 10.4.4 主要参数 1．共射极电流放大系数β和β 说明： 共发射极静态（又称直流）电流放大系数 共发射极动态（又称交流）电流放大系数 (2)晶体管的b 值在20～200之间。 2．集-基极反向饱和电流ICBO ICBO是当发射极开路（IE = 0）时的集电流IC，是由少数载流子漂移运动（主要是集电区的少数载流子向基区运动）产生的，它受温度影响很大。 注意：在室温下，小功率锗管的ICBO约为几微安到几十微安，小功率硅管在1μA以下。 3．集-射极穿透电流ICEO ICEO是基极开路（IB = 0）时的集电极电流IC ，且 注意：温度升高时，ICBO增大，ICEO随着增加，集电极电流IC亦增加， 且β值亦不能太大，一般 为50~100。 4．集电极最大允许电流ICM 集电极电流IC超过一定值时， 值要下降。ICM为晶体管 值下降到正常值2/3时的集电极电流。 5．集-射极击穿电压BUCEO BUCEO为基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，当超过此值时，晶体管集电结会被击穿而损坏。 6．集电极最大允许耗散功率PCM PCM为当晶体管因受热