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半导体存储器 第五章 半导体存储器 存储器基本知识 第4.1节 存储器基本知识 存储器是存储信息的部件，正因为有了存储器，计算机才有信息记忆功能 一. 存储器按位置分类 1. 内部存储器 —— 通常与系统总线相连，CPU可直接访问，简称内存 1）内部CACHE：在CPU内作为一个高速的指令或数据缓冲区 2）外部CACHE：通常在主板上，介于内部CACHE和主存之间的缓冲区 3）主存储器：内存主要使用的空间 内存速度快，通常由半导体存储器组成，工艺采用双极性TTL或MOS技术 内存包括RAM和ROM两部分，RAM占主要，通常说内存主要指RAM，而ROM主要用于存放BIOS 2. 外部存储器——通常是通过专用驱动设备才能访问，简称外存 速度比内存慢，容量大、掉电信息不丢，如磁盘（软盘、硬盘）、光盘 存储器基本知识 二. 内存的行列结构 为区分不同存储单元，每个单元都对应一个地址，读写访问时，应给出相应地址，经过译码后，选中具体存储单元。为简化译码电路，内存中存储单元按照多行多列的矩阵形式来排列。 例：组成1KB的内存 1）若不按矩阵形式排列，而是一字排开，则需要1024根译码线 2）若按32×32的矩阵形式排列，则只需要5根行选择线和5根列选择线 存储器基本知识 三. 随机读写存储器——RAM (Random Access Memory) RAM既可读又可写，掉电信息丢失，按结构又可分为SRAM和DRAM 1. 静态RAM —— SRAM（static RAM） 使用双稳态触发器存储信息，速度快，不需要刷新，但容量低、功耗大 计算机中CACHE常使用SDRAM 如：6264 8k * 8 62256 64K * 8 存储器基本知识 2.动态RAM —— DRAM（dynamic RAM） 使用电容存储信息，充电状态和放电状态分别表示1和0，因电容有漏电，因此需要对动态RAM进行定时刷新。计算机中的主存条多以DRAM为主。 DRAM的刷新 DRAM的一次刷新过程就是对存储器进行一次读取、放大和再写入，通常按行进行刷新，具体执行时，让行地址信号/RAS有效，将该行所有存储单元分别读出，与放大电路接通，再写回。然后再给出下一行的/RAS信号，重复操作。 通常每一行的刷新时间间隔不应超过2ms，实际应用时，由专用的DRAM控制器（Intel 8203、8207、8209）或DRAM本身自带的的片内刷新电路完成动态RAM的刷新。 存储器基本知识 四. 只读存储器——ROM (Read Only Memory) ROM结构简单，位密度比RAM高，掉电信息不丢失，可分为： 1. 固定ROM (掩膜ROM) —— 由制造厂家固化内容，不可修改 2. 可编程ROM (PROM) —— 由用户固化内容，但不可修改 3. 可擦除、可编程ROM (EPROM) —— 可多次擦除和重写（紫外线擦除） 27**系列 2716 2732 2764 … 27040 4. 可电擦除、可编程ROM (EEPROM) —— 可多次擦除和重写（电擦除） 2817 28C64 28C256 4种工作方式：读方式、写方式、字节擦除方式和整体擦除方式 5. 闪烁存储器(FLASH ROM) —— 属于EEPROM类型，性能优于EEPROM 29F010、29F020，不加电时，信息可保存10年以上，可反复擦写几十万次，且擦除速度较快；分为整体型、块结构型、带自举块型 使用时，往Flash ROM中的命令寄存器写入不同命令，即可实现不同操作 如：读命令、擦除命令、编程命令、复位命令等 存储器基本知识 五. 半导体存储器的容量 存储器位容量 = 存储单元数×位数 存储单元数：存储器所含存储单元个数，每个存储单元对应一个地址，是一个独立的信息单元 位数：每个存储单元所含二进制数长度，通常为1位、4位、8位 例：一片62256为RAM存储器，位容量=32K×8 说明该存储器芯片具有15根地址线，8根数据线，除此之外，RAM还应具有/CE、/OE、/WE三根控制线（片选、读控制、写控制） 注：有时也以字节(Byte)为单位表示存储器容量 1KB = 1024B，1MB = 1024KB，1GB = 1024MB，1TB = 1024GB = 2^10B = 2^20B = 2^30B