等离子体表面处理改变薄膜电气性能的研究-中国电机工程学会.PDF

中国电机工程学会高电压专业委员会 2004 年学术会议论文 等离子体表面处理改变薄膜 电气性能的研究 戴玲，林福昌，严飞，韩永霞，李劲 华中科技大学电气与电子工程学院（武汉 430074） 等离子体技术用于材料的表面处理已有几十年历史。本文分析了用低温非平衡态等离子体对薄膜进行表面处 摘 要： 理，以改善其电气性能的机理。作者建立了两套膜处理装置：低气压下的直流辉光放电装置和大气压下介质 阻挡（DBD ）的丝状放电装置。在直流辉光下，用空气和氧气两种气体处理薄膜；空气DBD 下，用不同长 短的时间处理。处理结果表明：直流辉光下，空气和氧气两种等离子体表面处理对聚丙烯薄膜的直流击穿场 强没有明显改变。空气 DBD 等离子体处理薄膜，会造成薄膜击穿场强下降。红外光谱显示了空气中等离子 体处理后的聚丙烯薄膜表面没有新的成分出现，但有部分化学键断裂和交联。 关键词：等离子体 表面处理 薄膜 电气性能 1 引言 用低温非平衡态等离子体对材料进行表面处理，改变其化学和物理性质，是目前许多材料改性所 采用的方法，这方面的研究已有多年历史，并取得了诸多成果。塑料薄膜在农业、食品、医药、电气、 电子等行业中有着广泛的应用。大量研究表明，等离子体处理塑料薄膜表面，能显著改善其粘接性、 浸润性、防静电、表面固化、生物相容性等。但对于薄膜电气性能改善的研究，则由于市场需求的范 围小，相对较少[1-3]。 高储能密度电容器在国防和民用领域都有巨大的应用前景。在国防和航空、航天领域，高储能密 度电容器能有效减小电容器的体积，使装置小型化；在民用领域，高储能密度电容器除了减小体积外， 还能大大降低成本。由于高储能密度电容器巨大的应用价值，世界各国都在积极开展这方面的研究。 高储能密度电容器中，介质薄膜材料的击穿场强决定其储能密度的水平，而击穿场强与材料的化学结 构和表面状况紧密相关。用等离子体的表面处理方法，有望简单、经济、环保的改变其表面状况和化 学成分，提高储能密度。 2 机理分析 均匀电场中聚合物的击穿是强电场下形成高能电子作用的结果，伴随化学结构的破坏。在高电场 作用下，电极发射的电子通过隧道效应注入介质的陷阱中，或者跳过位垒到达导带。由于聚合物中陷 阱密度很高，导带宽度仅为 0.1ev，电子在导带中作反电场方向运动，或者电子在电场作用下从一个 陷阱穿过隧道去另一个陷阱时，容易掉入陷阱，这两个过程都会放出能量，能量通过非辐射能量的转 移形式传给另一个电子，使后者成为热电子。这些热电子可使分子键断裂而变为低分子，形成低密度 [4-5] 区，低密度区的电离放电，导致介质击穿 。 另一种针对放电过程引起的介质击穿的解释是碰撞电离退陷阱化理论。该理论认为空间电荷脱陷 时电机械能的释放是导致聚合物表面树枝化并最终击穿的原因。介质试样在高电场作用下注入载流 子，一部分载流子被介质中的陷阱捕获，成为陷阱空间电荷；另一部分为自由空间电荷。空间电荷深 度大约在介质表面邻近电极几个μm 处。在电容器端部放电时，碰撞电离退陷阱化，可移走束缚电荷。 966 中国电机工程学会高电压专业委员会 2004 年学术会议论文 这些束缚电荷可以是电场注入的入陷电荷，也可以是介质材料本身结构中的束缚电荷。如果碰撞电离 [6] 足够强烈，以至于移走材料本身结构中的束缚电荷，就会导致结构的破坏，引发介质击穿 。 无论是电场注入形成空间电荷的击穿作用，还是碰撞电离退陷阱过程导致的介质击穿，空间电荷 的数量和能量都是影响聚合物电气强度的关键因素。 聚丙烯分子结构中含有大量可吸引空间电荷的陷阱。实验和理论计算都表明，陷阱密度、自由基 和微孔密度达到某一临界值，薄膜就会击穿[7]。用辉光放电等离子体处理薄膜，大量具有数个 eV 能 量的电子轰击薄膜表面，其刻蚀作用可增加薄膜表面的陷阱密度、自由基和微孔密度。一些实验结果 也证实了放电等离子体会增加陷阱密度[8]。这一过程会降低薄