输出光功率I：电流斜率由LED的材料及结构所决定72865314崑山.PPTVIP

Chapter 4二極體特性與應用 四技一年級下學期 授課教師：任才俊 二極體元件特性 二極體由半導體製成，特性近似左下圖，是一顆很好的穩壓元件。右下圖是其電路符號，「＋」端為陽極，「－」端為陰極，箭頭顯示其方向性，也是電流主要流動的方向。 在二極體的陽極和陰極間加上一個電壓，其V-I關係為： IS ：逆向飽和電流(Reverse saturation current)，由二極體實際結構決定的定值 n ：介於1和2之間的常數，矽材n = 1 VT ：thermal voltage，在常溫下VT ? 25mV V0 表示陽極電位高於陰極，為順向偏壓(Forward bias)；V0 表示陰極電位高於陽極，為逆向偏壓(Reverse bias)， 順向偏壓 V0 時，電流由陽極流向陰極，其中大約分為兩個狀態 一. V0.5V：電流幾乎等於0；因為IS數值很小，約在10?10～10?18 A的數量級。 二. V0.5V：電流隨電壓變動而快速上升；因為I-V特性成指數關係，且VT很小。 區分兩種狀態的電壓稱為切入電壓 Vcut-in (Cut-in voltage)，約等於0.5V。 典型的二極體V-I關係曲線見下圖 Vcut-in ：切入電壓(cut-in voltage)  分析、設計電路時，估算(estimate)電壓電流的能力，遠比利用KCL配合元件特性解方程式，或電腦軟體模擬得到精確值， 還重要。 觀察二極體的V-I特性曲線，V = Vcut-in(0.5V)開始導通，之後電流隨電壓增加快速上升，大約V = 0.8V時瀕臨極限。 一般合理的電路設計都不會讓V超過0.8V 正常情況下，二極體的導通電壓(VD(on))約介於0.6V至0.8V之間，一般假定VD(on) = 0.7V，也就是，若判斷二極體導通，端電壓 = VD(on) = 0.7V 。 逆向偏壓 V0 時，二極體處於截止(cutoff)狀態，電流為零；V-I關係式與順向偏壓相同，只是V為負值。 IS 非常小，所以逆向偏壓通常假定 I = 0 I為負值表示電流由陰極流向陽極 二極體逆向偏壓時的I-V特性曲線，見下圖 Vbreak ：逆向崩潰電壓(Reverse breakdown voltage) 逆向偏壓大於二極體的逆向崩潰電壓(Vbreak)時，將進入崩潰狀態而產生大電流。若無特別電路保護，很可能因為過熱而燒燬。 一般而言Vbreak約數十伏特， 可忽略不考慮。 二極體是具方向性的元件 (忽略反向崩潰效應) ：截止狀態，近似絕緣體 ：導通狀態，近似金屬導體 例 1. 在右圖中，若(1) VCC = 5V，(2) VCC = 0.2V，請分別求二極體上的電流及電壓。(假設Vcut-in = 0.5V，VD(on)= 0.7V) 例 2. 在右圖中，若(1) R3 = 2K?，(2) R3 =0.1K?，請分別求二極體上的電流及電壓(Vcut-in = 0.5V、VD(on) = 0.7V) 利用二極體作為穩壓元件製作的穩壓電路所受的限制：所要的電壓必須是VD(on)的整數倍(0.7V，1.4V，2.1V，…) 。 例如需要參考電壓Vref = 2V時，只能用三顆二極體串聯得到最接近的2.1V，如右圖。 稽納二極體無此限制，所以實用電路中通常採用稽納二極體，很少用一般二極體串接來穩壓。 例 3. 在右圖的電路中，若外接電路的電流並非定值，因環境變動其大小由0.2 mA至1mA皆有可能。請設計R1使得在任何情況下，皆保證二極體處於導通狀態且ID至少0.5mA以上。 二極體穩壓電路設計的注意事項： 保證二極體處於導通狀態 二極體應有合理的導通電流 好的電路設計包含兩個部分： 良好的電路結構。 適當的元件值。 截波電路 截波電路：去除過高或過低的電壓信號，保護電路不因為太高或太低的電壓，造成電路工作不正常。利用二極體限幅，是積體電路(Integrated Circuit, IC)設計中常用來保護電路的方法。 右圖即為截波電路 輸入信號 假定外加電壓小於0.7V：截止狀態 外加電壓高於0.7V：導通且維持 導通電壓VD(on) = 0.7V 下圖： s(t) -0.7V：截止狀態， s(t) = -0.7V：導通狀態， →限制Vo不小於?0.7V 並聯截波 並聯截波 串聯截波 串聯截波 串聯截波 串聯截波 雙截波電路 下圖： s(t) 0.7V：D1導通、D2截止，