采用三栅极技术FPGA的突破性优势-Altera.PDFVIP

采用三栅极技术FPGA 的突破性优势 Altera 公司 高端FPGA 产品营销高级经理Ryan Kenny 工艺技术研究员 Jeff Watt WP-01201-1.1 白皮书 本白皮书介绍半导体制造业从传统平面工艺到3-D 结构晶体管设计的巨大转变，大幅 度提高了高性能可编程逻辑的功能。 引言 2013 年2 月，Altera 和Intel 公司联合宣布下一代Altera 高性能FPGA 产品将独家采用Intel 的14 nm 3-D 三栅极 技术进行生产。由此，Altera 成为最先进的高性能半导体 技术的独家FPGA 供应商。为理解三栅极技术对高性能 FPGA 功能的影响，以及这一优势在数字电路速度、功耗 和产品上是怎样体现出来的，本文介绍三栅极及其相关技 术开发的背景知识，以及目前的状态。 晶体管设计背景 1947 年，贝尔实验室展示了第一个晶体管，采用了锗“点接触”结构。1954 年首次采用 硅来生产双极性晶体管，直到1960 年，才开发出第一个硅金属氧化物半导体场效应晶 体管(MOSFET) 。最早的MOSFET 是2D 平面器件，电流在栅极下面的硅表面流动。 MOSFET 器件的基本结构50 多年来一直没有变过。 正如1965 年摩尔定律所预测的，大幅度增强并改进了MOSFET 技术的制造工艺， 并进行优化，符合摩尔定律以及半导体行业的产品规划周期。在最近10 年中，应变 硅、高K 金属栅极技术的突破不断改进了MOSFET 的性能和功耗。 1991 年，Digh Hisamoto 以及其他研究团队在Hitachi 中心研究实验室发表的文章 中公开了3-D ，“交叠”栅极晶体管技术，提高了MOSFET 性能，消除了短沟道效应 的影响。本文将所提出的3-D 结构称为“瘦沟道晶体管” ，即DELTA (1) 。1997 年， 国防 © 2015 Altera 公司。保留所有权利。ALTERA 、ARRIA 、CYCLONE、ENPIRION、MAX 、MEGACORE、 NIOS、QUARTUS 和STRATIX 等字词和标识是Altera 公司的商标，在美国专利和商标事务所以及其他国家进 行了注册。所有其他被认定为商标或者服务标记的字词和标识的所有权属于其各自持有人， ISO 101 Innovation /common/legal.html 对此进行了解释。Altera 保证当前规范下的半导体产品性能与Altera 9001:2008 注册 Drive San Jose, 标准质保一致，但是保留对产品和服务在没有事先通知时的升级变更权利。除非与Altera 公司的书面条款完全 CA 95134 一致，否则Altera 不承担由此处所述信息、产品或者服务导致的责任。Altera 建议客户在决定购买产品或者服 务，以及确信任何公开信息之前，阅读Altera 最新版的器件规范说明。