- 1、本文档共9页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
茂捷M5576兼容绿达GR8830
概述:
M5576是一款高集成度、高性能、电流模式PWM控制芯片,离线式AC-DC反激拓扑结构,具备低待机功耗和低成本优点。正常工作下,PWM开关频率处于合理的范围内,在空载或轻载条件下,IC工作在“跳周期模式”来减少开关损耗,从而实现低待机功耗和高转换效率,M5576提供完善的保护功能,包括自动恢复保护、逐周期电流限制(OCP)、过载保护(OLP)、VDD的欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP)和过电压(固定或可调的)保护(OVP),具备抖频功能,改善系统的EMI性能。
特点:
软启动功能,减少功率MOSFET的VDS应力
跳周期模式控制的改进,提高效率降低待机功耗
抖频功能,改善系统EMI性能
消除音频噪声
65KHz的开关频率
完善的保护功能
VDD欠压保护
逐周的过流阈值设置,恒定输出功率
自动恢复式过载保护(OLP)
自动恢复式过温保护(OTP)
锁定型的VDD过压保护(OVP)
锁定型的过温保护(OTP)
过压保护点OVP通过外部稳压二极管可调
采用SOT-23-6和DIP-8封装
应用:
手机充电器
上网本充电器
笔记本适配器
机顶盒电源
各种开放式开关电源
产品规格分类:
产品名称 开关频率 封装形式 包装形式 M5576SR 65KHz SOT-23-6 编带3K/盘 M5576PR 65KHz DIP-8 管装50个/管2000个/盒 典型应用:
图1M5576SR应用图SOT-23-6
图2M5576PR应用图DIP-8
管脚排列图:
图3DIP-8(顶部视图) 图4SOT-23-6(顶部视图)
管脚描述:
管脚号 管脚名称 管脚描述 SOT-23-6 DIP-8 6 1 DRV 输出PWM信号驱动外部功率MOSFET 5 2 VDD 芯片供电 3、6 NC 悬空 4 4 SEN 电流检测 3 5 RT 多功能引脚。通过连接一个电阻接地过温控制通过齐纳到VDD保护2 7 COMP 芯片内部电路的环路补偿 1 8 GND 接地
芯片使用时极限参数:
项目 参数值 单位 最小值 最大值 VDD直流电压齐纳电压直流电流COMP输入电压输入电压输入电压最小/最大工作℃ 最小/最大温度℃
最高温度(焊接,10)℃ 注:如果器件工作条件超出上述各项极限值,可能对器件造成永久性损坏。上述参数是工作条件的极限值,不建议器件工作在推荐条件以外的情况。器件长时间工作在极限工作条件下,其可靠性及寿命可能受到影响。
芯片内部框图:
图5M5576内部框图
电气参数(Ta=25oC):
项目 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 供电电压(VDD) I_Startup VDD启动电流 VDD=UVLO(OFF)-1V,测试流入VDD的电流 5 20 uA I_VDD_Ops 工作电流 VCOMP=3V 1.4 2.5 mA VDD_OFF 欠压锁存开启 8 9 10 V VDD_ON 欠压锁存结束(恢复) 14.5 15.5 16.5 V Vpull_up 上拉PMOS启动 13 V Vdd_Clamp IVDD=10mA 30 32 34 V OVP(ON) 过压保护电压 SEN=0.3V,COMP=3V,VDD升高直到DRV时钟关闭 26 28 30 V 反馈输入部分(COMPPin) VCOMP_Open VCOMP开环电压 4 5 V 最大占空比 Maxdutycycle@VDD=14V,COMP=3V,VSEN=0.3V 75 80 85 % Vref_green 进入绿色模式的阈值 1.4 V Vref_burst_H 进入跳周期模式的阈值 0.68 V Vref_burst_L 离开跳周期模式的阈值 0.58 V ICOMP_Short COMP引脚短路电流 测量COMP短路到地的电流 0.4 mA VTH_PL 过载时的COMP电压 3.6 V TD_PL 过载延迟时间 80 88 96 mS ZCOMP_IN 输入阻抗 16 KΩ 电流检测输入(SENpin) SST 软启动时间 4 ms T_blanking 前沿消隐时间 220 ns TD_OC 过载延迟时间 从过流产生到DRV引脚关闭 120 ns VTH_OC 内部电流限制阈值电压与零占空比 0.75 V Vocp_clamping SEN电压嵌位 0.9 V 振荡器 Fosc 振荡频率 VDD=14V,COMP=3V,SEN=0.3V 60 65 70 KHZ Δf_OSC 频率抖动 +/-4 %
您可能关注的文档
- 英语:Unit 5 Feeling Happy Topic 3教案(仁爱英语八年级下).doc
- 英语:Unit 3 Let’s celebrate Reading课件(牛津英语七年级上).ppt
- 英语:Unit 3 Topic 2 What sweet music课件(仁爱英语八年级上).ppt
- 英语:Unit 3《Amazing People》课件-Task(牛津译林版必修2) 2.ppt
- 英语:Unit 6 Enjoying Cycling Topic 1教案(仁爱英语八年级下).doc
- 英语:module6 Films and TV Programmes introduction and reading课件(外研版必修2).ppt
- 英语:Unit 6 I am more outgoing than my sister教案与练习(人教新目标八年级上).doc
- 英语:unit 6 中考复习学案(译林牛津版八年级下).pptx
- 英语:Unit 4《Body language》课件-listening and speaking(新人教版必修4).ppt
- 英语:Unit 5 Topic 1 Why all the smiling faces Section B课件(仁爱英语八年级下).ppt
文档评论(0)