1第一节半导体的特性.ppt

* 第一节 半导体的特性 主讲：王荔芳 自动控制与机械工程系 模拟电子技术 主要教学内容 模拟电子技术 电子元器件 电子电路及其应用 二极管 三极管 集成电路 放大 滤波 电源 第一章 半导体器件 半导体材料、由半导体构成的PN 结、二极管结构特性、三极管结构特性及 场效应管结构特性。 本章主要内容： 第一节 半导体的特性 本征半导体 杂质半导体 1. 半导体 共价键 半导体的定义： 将导电能力介于导体和绝缘体之间的一大类物质统称为半导体。 大多数半导体器件所用主要材料是硅和锗 一、本征半导体 价电子 在硅(或锗)的晶体中, 原子在空间排列成规则的晶格。 晶体中的价电子与共价键 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 下页 首页 上页 2. 本征半导体 纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。 在本征半导体中，由于晶体中共价键的结合力很强， 在热力学温度零度（即T = 0 K ）时， 价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚， 晶体中不存在能够导电的载流子， 半导体不能导电，如同绝缘体一样。 下页 上页 首页 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 本征半导体中的载流子 带负电的自由电子 带正电的空穴 如果温度升高， 少数价电子将挣脱共价键束缚成为自由电子。 在原来的共价键位置留下一个空位， 称之为空穴。 下页 上页 首页 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 半导体中存在两种载流子： 带负电的自由电子和带正电的空穴。 在一定温度下电子 – 空穴对的产生和复合达到动态平衡。 在本征半导体中， 两种载流子总是成对出现 称为 电子 – 空穴对 本征载流子的浓度对温度十分敏感 电子 – 空穴对 两种载流子浓度相等 下页 上页 首页 二、 杂质半导体 在本征半导体中掺入某种特定的杂质，就成为杂质半导体。 1. N型（或电子型）半导体 在4价的硅或锗中掺入少量的5价杂质元素(磷,砷)， 则原来晶格中的某些硅原子将被杂质原子代替。 杂质原子与周围四个硅原子组成共价键时多余一个电子。 这个电子只受自身原子核吸引，在室温下可成为自由电子。 +5 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 +5 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 失去自由电子的杂质原子固定在晶格上不能移动， 并带有正电荷，称为正离子。 在这种杂质半导体中， 电子的浓度大大高于空穴的浓度。 因主要依靠电子导电， 故称为电子型半导体。 多数载流子 少数载流子 下页 上页 5价的杂质原子可以提供电子，所以称为施主原子。 首页 失去自由电子的杂质原子固定在晶格上不能移动， 并带有正电荷，称为正离子。 下页 上页 首页 +3 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 在硅或锗晶体中掺入少量的3价杂质元素(如硼)， 空位 2. P型半导体 当它与周围的硅原子组成共价键时， 将缺少一个价电子， 产生了一个空位。 空位为电中性。 下页 上页 首页