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半导体物理课件-态密度
半导体物理
Semiconductor physics
教案：刘诺
教案：刘诺
制作: 刘 诺
动画：刘诺，陈洪彬，赵翔，韩劲松
Email: liunuo2002@
电子科技大学
电子科技大学
微电子与固体电子学院
微电子与固体电子学院
微电子科学与工程系
微电子科学与工程系
§3.1 状 态 密 度
Density of States
假设在能带中能量E与E+dE之间的能量间隔
dE内有量子态dZ个，则定义状态密度g （E）为：
dZ
g(E)
dE
Density of States
每个允许的能量状态在k空间中与由
整数组（n ，n ，n ）决定的一个代表点
x y z
（k ，k ，k ）相对应
x y Z
在k空间中，电子的
允许量子态密度是
2 ×V
Density of States
一、球形等能面情况
2 2
h k
( )
假设导带底在k=0处，且 E(k) Ec + * ⎯⎯→ 2
2m
则量子态数 3 n
*
2 (2mn )2 1
( )2 ()
( ) 4πV E −Ec dE ⎯⎯→ 3
dZ 2V × 4πk dk
h 3
导带底状态密度： * 3
dZ (2mn )2 1
( ) ( )2 ( )
gC E 4πV 3 E −Ec ⎯⎯→ 4
dE h
同理，可推得价带顶状态密度：
3
*
( )2 1
dZ 2 m
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